[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件的制造方法，包含：

提供基板；

形成半导体叠层于该基板上方，该半导体叠层包含p型半导体层、n型半导体层、及位于该p型半导体层与该n型半导体层间的发光层；

形成晶种层于该p型半导体层与该n型半导体层中至少其中之一的上方；以及

形成化镀层于该晶种层上方，该化镀层上表面的粗糙度小于该半导体叠层上表面的粗糙度。

2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法：

其中形成该晶种层之方法包括物理镀膜法，以及形成该化镀层之方法包括化学镀膜法。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该物理镀膜法包括热蒸镀法、电子束蒸镀及离子溅镀法；以及其中该化学镀膜法包括电镀法或无电电镀法。

4.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中还包括粗化该半导体叠层、该晶种层或该化镀层其中至少一层的上表面，其中该粗化结构可利用外延或化学蚀刻方式形成。

5.一种发光元件，包含：

基板；

半导体叠层，位于该基板之上，其中该半导体叠层包含p型半导体层、n型半导体层、及位于该p型半导体层与该n型半导体层间的发光层；以及

焊垫，位于该p型半导体层与该n型半导体层中至少其中之一的上方，其中该焊垫包含晶种层与化镀层，且该化镀层上表面的粗糙度小于该半导体叠层上表面的粗糙度。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该晶种层的厚度为该化镀层的厚度为0.5μm～3μm。

7.如权利要求5所述的发光元件，其中该晶种层或该化镀层的材料为金、铜、镍或铝。

8.如权利要求5所述的发光元件，其中该晶种层或该化镀层为多层结构。

9.如权利要求5所述的发光元件，其中该晶种层的面积与该化镀层的面积不同。

10.如权利要求5所述的发光元件，其中该半导体叠层、该晶种层或该化镀层其中至少一层的上表面为粗化结构。

11.如权利要求5所述的发光元件，其中该晶种层的上表面粗糙度小于该半导体叠层上表面的粗糙度。