[发明专利]烧结添加组合物、介电陶瓷组合物、及它们的应用

权利要求书

1.一种烧结添加组合物，包括：

二氧化硅；

三氧化二硼；以及

至少二改质成分，这些改质成分选自下列所组成的群组：三氧化钨、三氧化钼及二氧化锡；

其中以烧结添加组合物总量为100摩尔，二氧化硅的含量介于60摩尔与85摩尔之间，三氧化二硼的含量介于10摩尔与35摩尔之间，且该至少二改质成分的含量介于0.1摩尔与5摩尔之间。

2.如权利要求1所述的烧结添加组合物，该烧结添加组合物是呈球状颗粒，且其粒径为50纳米至100纳米。

3.一种介电陶瓷组合物，包括：

钛酸钡；

一种如权利要求1至2中任一项所述的烧结添加组合物；以及

至少一次要成分，该次要成分选自下列所组成的群组：稀土氧化物、含镁化合物、氧化锰及三氧化二铝；

其中以钛酸钡的含量为100摩尔，所述烧结添加组合物的含量介于0.5摩尔与5摩尔之间，且所述至少一次要成分的含量介于0.05摩尔与4.8摩尔之间。

4.如权利要求3所述的介电陶瓷组合物，其中稀土氧化物的含量介于0.2摩尔与1摩尔之间，含镁化合物介于0.5摩尔与3摩尔之间，氧化锰占0.05摩尔与0.3摩尔之间，三氧化二铝占0.05摩尔与0.5摩尔之间。

5.如权利要求3所述的介电陶瓷组合物，其中所述稀土氧化物为三氧化二镝、三氧化二钇、或其组合。

6.如权利要求3所述的介电陶瓷组合物，其中所述含镁化合物为氧化镁或碳酸镁。

7.如权利要求3所述的介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物还包括三氧化二钒，以钛酸钡的含量为100摩尔，三氧化二钒的含量介于0.025摩尔与0.25摩尔之间。

8.一种积层陶瓷电容器，包括：

一介电陶瓷本体，包含：

多个介电陶瓷层，所述介电陶瓷层是包含如权利要求3至7中任一项所述的介电陶瓷组合物所烧结而成；

多个内电极层，这些内电极层与介电陶瓷层互相交叠形成于所述介电陶瓷本体内；以及

两外电极层，分别设置于所述介电陶瓷本体外的相对两侧面，且所述外电极层与介电陶瓷本体的内电极层连接。

9.如权利要求8所述的积层陶瓷电容器，其中每一介电陶瓷层的厚度介于1.0与3.5微米之间。

10.如权利要求8所述的积层陶瓷电容器，其中，所述内电极层与外电极层是由一导电材料所制成。