[发明专利]碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法

权利要求书

1.一种碳化硅衬底外延片，其特征在于，包括从下至上依次设置的SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层。

2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底外延片，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。

3.一种碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。

4.根据权利要求3所述的碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。

5.根据权利要求3或4所述的碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1～10um。

6.一种碳化硅衬底白光LED，其特征在于，包括从下至上依次设置的支架、支架电极、芯片、金线、荧光晶体、硅胶和透镜，所述芯片包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。

7.根据权利要求6所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。

8.根据权利要求6或7所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1～10um。

9.根据权利要求8所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述荧光晶体的厚度为100～2000um。

10.一种碳化硅衬底白光LED工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

将SiC单晶基板放在托盘里送入外延炉，在1055～1065摄氏度下生长N-GaN接触层；以氮气为载体，在685-695摄氏度下生长InGaN/GaN多量子阱发光层；在995-1005摄氏度下生长P-GaN接触层，得到碳化硅衬底外延片；

将生长好的外延片P-GaN接触层上方先做一层透明导电层，再在透明导电层上做上P电极，在SiC单晶基板的下方做上N极层，得到碳化硅衬底封装芯片；

将所述碳化硅衬底封装芯片用自动共晶机将碳化硅衬底封装芯片固定在支架上，然后用自动焊线机进行焊线，芯片上方放上一块和碳化硅衬底封装芯片面积一样的荧光晶体，之后盖上透镜，配好硅胶，抽完真空后，用自动点胶机注入透镜内后，送入烘箱固化2小时，得到碳化硅衬底白光LED。