[发明专利]半导体器件及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201110330222.6 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN102324220A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 梅崎敦司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

薄膜晶体管;

第一电容器,所述第一电容器的第一端子电连接到薄膜晶体管的栅端子;

第二电容器,所述第二电容器的第一端子电连接到第一电容器的第二端子;

第一开关,所述第一开关的第一端子电连接到薄膜晶体管的第一端子并且所述第一开关的第二端子电连接到第二电容器的第二端子;

第二开关,所述第二开关的第一端子电连接到薄膜晶体管的第一端子并且所述第二开关的第二端子电连接到第一电容器的第二端子和第二电容器的第一端子;

第三开关,所述第三开关的第一端子电连接到薄膜晶体管的栅端子并且所述第三开关的第二端子电连接到线路;以及

显示元件,电连接到薄膜晶体管的第二端子。

2.如权利要求1所述的半导体器件,

其中所述薄膜晶体管包括电极,并且

其中所述电极包括选自铝(Al)、镍(Ni)、碳(C)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铜(Cu)、钽(Ta)、金(Au)、锰(Mn)的元素或者含有所述元素的合金。

3.如权利要求1所述的半导体器件,

其中所述薄膜晶体管包括栅电极,

其中所述栅电极包括选自钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)和钕(Nd)的元素或者含有所述元素的合金。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述显示元件是电致发光元件。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述显示元件是液晶元件。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述半导体器件是便携式信息终端。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述半导体器件是电子书。

8.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

源极信号线;

第一晶体管,所述第一晶体管串联电连接到源极信号线;

第二晶体管,所述第二晶体管的第一端子通过源极信号线电连接到第一晶体管的第一端子并且所述第二晶体管的第二端子电连接到第一电容器的第二端子。

9.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

源极信号线;

第一晶体管,所述第一晶体管串联电连接到源极信号线;

第二晶体管,所述第二晶体管的第一端子通过源极信号线电连接到第一晶体管的第一端子并且所述第二晶体管的第二端子电连接到第一电容器的第二端子;

栅极信号线,所述栅极信号线电连接到第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极,

其中第一晶体管和第二晶体管通过栅极信号线来导通或关断。

10.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述薄膜晶体管包括含有铟(In)的氧化物半导体。

11.如权利要求10所述的半导体器件,其中所述氧化物半导体是非晶的。

12.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述薄膜晶体管包括含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体。

13.如权利要求12所述的半导体器件,其中所述氧化物半导体是非晶的。

14.一种半导体器件,包括:

薄膜晶体管;

第一电容器,所述第一电容器的第一端子电连接到薄膜晶体管的栅端子;

第二电容器,所述第二电容器的第一端子电连接到薄膜晶体管的栅端子并且所述第二电容器的第二端子电连接到薄膜晶体管的第一端子;

第一开关,所述第一开关的第一端子电连接到薄膜晶体管的栅端子并且所述第一开关的第二端子电连接到薄膜晶体管的第二端子;

第二开关,所述第二开关的第一端子电连接到薄膜晶体管的第二端子;以及

显示元件,电连接到第二开关的第二端子,

其中薄膜晶体管包括含有铟(In)的氧化物半导体。

15.如权利要求14所述的半导体器件,

其中所述薄膜晶体管包括电极,并且

其中所述电极包括选自铝(Al)、镍(Ni)、碳(C)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铜(Cu)、钽(Ta)、金(Au)、锰(Mn)的元素或者含有所述元素的合金。

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