[发明专利]包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

以行和列组织的多个存储器单元，所述多个存储器单元的每个包括用于接收存储器单元电源电压的电源电压节点，其中，存储器单元的行包括字线并且所有所述存储器单元耦合到所述字线，以及存储器单元的列包括位线并且所有所述存储器单元耦合到所述位线；

放电电路，该放电电路耦合到所述多个存储器单元的每个的所述电源电压节点，所述放电电路用于在写操作的第一部分期间，将选定的多个存储器单元的所述电源电压节点上的电压从所述第一电源电压改变成低于所述第一电源电压的预定电压；以及

存储器单元电源复用电路，该存储器单元电源复用电路耦合到所述多个存储器单元的每个的所述电源电压节点，所述存储器单元电源复用电路用于在所述写操作期间，将第一电源电压提供至选定列的存储器单元的所述电源电压节点，所述存储器单元电源复用电路用于在所述写操作期间，将大于所述第一电源电压的第二电源电压提供至所有未选定列的所述电源电压节点。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括电压提升电路，该电压提升电路耦合到所述多个存储器单元的每个的所述电源电压节点，所述电压提升电路用于在所述多个存储器单元的读操作期间，增大所述电源电压节点上的电压。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述预定电压等于所述第一电源电压减去阈值电压降。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个存储器单元的每个具有写容限和读容限，其中，所述写容限基本上大于所述读容限。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，通过设置所述存储器单元存取晶体管相对于所述存储器单元上拉晶体管的传导系数比，使得所述写容限基本上大于所述读容限。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储器单元电源复用电路位于所述位线的第一端部附近，并且列逻辑电路位于所述位线的第二端部附近。

7.一种用于存取集成电路存储器的方法，包括：

提供多个存储器单元，所述多个存储器单元的每个具有电源电压节点和耦合在存储节点和位线之间的存取晶体管；

接收第一电源电压；

接收第二电源电压，所述第二电源电压大于所述第一电源电压；

选择所述第一电源电压，以在写操作期间提供给选定列的存储器单元的所述电源电压节点；

选择所述第二电源电压，以在所述写操作期间提供给未选定列的存储器单元的所述电源电压节点；以及

在所述写操作的第一部分期间，将选定列的存储器单元的所述电源电压节点从所述第一电源电压放电至低于所述第一电源电压的预定电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用下拉晶体管实现将所述选定列的存储器单元的所述电源电压节点放电，并且其中，耦合至所述下拉晶体管的信号的电压电平确定放电率，并且耦合至所述下拉晶体管的所述信号的可调整脉冲宽度确定放电量。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：选择所述第二电源电压，以在所述集成电路存储器的读操作期间提供给所述多个存储器单元的所述电源电压节点。

10.一种用于存取集成电路存储器的方法，包括：

提供多个存储器单元，所述多个存储器单元的每个具有电源电压节点和耦合在存储节点和位线之间的存取晶体管；

接收第一电源电压；

选择所述电源电压，以在写操作期间提供给选定的多个存储器单元的所述电源电压节点；以及

在所述写操作的第一部分期间，将所述选定列的存储器单元的所述电源电压节点从所述电源电压充电至高于所述第一电源电压的预定电压，其中，使用上拉晶体管实现将所述选定列的存储器单元的所述电源电压节点充电，并且其中，耦合至所述上拉晶体管的信号的电压电平确定充电率，并且耦合至所述上拉晶体管的所述信号的可调整脉冲宽度确定充电量。

11.根据权利要求10的所述方法，其中所述预定电压等于高于接地电位的阈值电压。

12.根据权利要求10所述的方法，通过设置所述存储器单元晶体管的传导系数比，使得所述多个存储器单元的读容限基本上大于所述多个存储器单元的写容限。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括选择第二电源电压，以在所述集成电路存储器的读操作期间提供给所述多个存储器单元的所述电源电压节点。