[发明专利]制造有机发光器件的方法及制造有机发光显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201110328585.6 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN102456851A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 朴镇翰 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 有机 发光 器件 方法 显示装置
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年10月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请10-2010-0103676的优先权和权益,其公开整体合并于此作为参考。

技术领域

本发明的实施例涉及一种制造有机发光器件的方法以及一种使用该方法制造有机发光显示装置的方法。

背景技术

近来,显示装置已经被轻薄、便携的平板显示装置取代。在平板显示装置中,有机发光显示装置由于其宽视角、高对比度和短响应时间已经作为下一代平板显示装置获得广泛关注。有机发光显示装置还具有高亮度和低驱动电压。

有机发光显示装置包括有机发光器件,有机发光器件包含阴极电极、阳极电极和有机发光层。对阴极电极和阳极电极施加电压驱动有机发光器件时,从有机发光层发射出可见光。

有机发光层可以有两种或三种颜色,因此,可以实现彩色显示装置。有机发光层可以使用多种方法形成。例如,有机发光层可以使用沉积方法或热传导方法形成,因为有机材料不容易被湿法图案化。

在热传导方法中,在制备包括含有用于形成有机发光层的有机材料的传导层的供体薄膜后,通过对供体薄膜施热形成有机发光层。然而,在使用热量的传导工艺之前,很难精确操作供体薄膜和在其上使用供体薄膜进行传导工艺的基板,因此,制作具有期望特性的有机发光层尚有限制。

发明内容

为了解决上述和/或其它问题,本发明实施例的方面提供了一种制造易于提高具有有机发光层的中间层的特性的有机发光器件的方法,以及使用该方法制造有机发光显示装置的方法。

根据本发明的一个实施例,提供了一种制造有机发光器件的方法,该方法包括:制备具有第一电极的基板;将所述基板设置在基底构件上;设置供体薄膜以覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件;结合所述基底构件和所述供体薄膜;在将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜放进激光热传导装置后,通过在所述激光热传导装置中实施传导工艺在所述第一电极上形成具有有机发光层的中间层;和在所述中间层上形成第二电极。

所述基底构件可以具有大于所述基板的面积的面积。

所述基板可以被设置在所述基底构件上,从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。

所述供体薄膜和所述基底构件可以以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合,在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘可以从所述供体薄膜被移除。

所述结合所述基底构件和所述供体薄膜可以包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。

所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用热结合。

所述基底构件和所述供体薄膜可以被使用粘合构件结合。

将所述基板设置在所述基底构件上、设置所述供体薄膜以及结合所述基底构件和所述供体薄膜可以是在真空室内进行的。

该方法可以进一步包括在结合所述基底构件和所述供体薄膜后,将所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜移除到所述真空室的外面。

所述真空室的所述外面可以处于大气状态。

在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后,所述供体薄膜的在与所述基底构件结合的区域外面的区域可以被移除。

在所述基底构件和所述供体薄膜被结合后,所述基底构件的在与所述供体薄膜结合的区域外面的区域可以被移除。

该方法可以进一步包括在形成所述中间层后将所述基底构件从所述基板分离。

根据本发明另一实施例,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,该方法包括:制备具有像素限定薄膜的基板,所述像素限定薄膜被设置为暴露第一电极的一个区域;将所述基板设置在基底构件上;设置供体薄膜,所述供体薄膜覆盖所述基板并接触围绕所述基板暴露的所述基底构件;结合所述基底构件和所述供体薄膜;通过在激光热传导装置中对所述基板插入在其间并相互结合在一起的所述基底构件和所述供体薄膜实施传导工艺,在所暴露的第一电极的所述区域上形成具有有机发光层的中间层;和在所述中间层上形成第二电极。

所述基底构件可以具有大于所述基板的面积的面积。

所述基板可以被设置在所述基底构件上,从而所述基板被放置在所述基底构件的所述面积内。

所述供体薄膜和所述基底构件可以以所述供体薄膜被托盘扩展的状态被结合,在所述供体薄膜和所述基底构件被结合后所述托盘可以从所述供体薄膜被移除。

所述结合所述基底构件和所述供体薄膜可以包括结合所述基底构件的围绕所述基板的边缘的区域和所述供体薄膜。

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