[发明专利]阻挡膜及其制造方法

权利要求书

1.一种阻挡膜，包括：

基材，由具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的塑料膜形成；

第一阻挡层，通过原子层沉积法形成在所述第一表面上并且由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成；以及

第二阻挡层，通过原子层沉积法形成在所述第二表面上并且由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成。

2.根据权利要求1所述的阻挡膜，

其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层是在大于等于0.3Torr小于等于10Torr的压力下形成的氧化铝膜。

3.根据权利要求2所述的阻挡膜，

其中，所述阻挡膜具有小于等于10×10^-5[g/m²/天]的水蒸气透过率。

4.根据权利要求2所述的阻挡膜，

其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均具有大于等于20nm小于等于50nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的阻挡膜，还包括：

第三阻挡层，所述第三阻挡层通过溅射法形成在所述第一表面和所述第一阻挡层之间并且由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成。

6.根据权利要求1所述的阻挡膜，还包括：

第三阻挡层，所述第三阻挡层通过溅射法形成在所述第一表面和所述第一阻挡层之间并且由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成；以及

第四阻挡层，所述第四阻挡层通过溅射法形成在所述第二表面和所述第二阻挡层之间并且由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成。

7.根据权利要求1所述的阻挡膜，其中，所述无机材料是包含Al、Zn、Si、Cr、Zr、Cu和Mg的金属元素中的至少一种的氧化物和/或氮化物。

8.一种显示装置，包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻挡膜。

9.一种便携式电子装置，包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻挡膜。

10.一种半导体器件，包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻挡膜。

11.一种电池，包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻挡膜。

12.一种包装组件，包括根据权利要求1至7中的任一项所述的阻挡膜。

13.一种制造阻挡膜的方法，所述方法包括：

在压力保持在大于等于0.5Torr小于等于5Torr的真空腔中通过原子层沉积法在塑料膜的第一表面上形成由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成的第一阻挡层；和

在所述真空腔中，通过原子层沉积法在与所述塑料膜的与所述第一表面相对的第二表面上形成由具有水蒸气阻挡性的无机材料制成的第二阻挡层。

14.根据权利要求13所述的制造阻挡膜的方法，

其中，所述无机材料为氧化铝。