[发明专利]一种发光二极管的研磨下蜡方法在审
| 申请号： | 201110328269.9 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103078015A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;林晓文;卞广彪;王力明;高本良;武胜利;李彤 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 研磨 方法 | ||
1.一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）将厚度均匀的缓冲层粘附在载片盘的载片位置；
（2）将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.2-0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度80-100℃，时间5-8分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间5-8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为80-100℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于缓冲层为高温胶带。
3.如权利要求1所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于缓冲层为镜头纸；此时的粘附方法为：将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于载片盘的载片位置，用蜡将镜头纸粘附到载片盘上。
4.如权利要求2所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于步骤（2）中载片盘和上蜡机的温度为85-90℃，步骤（6）和（7）中去蜡液的温度为85-90℃。
5.如权利要求1-4任意一项所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于所述的蜡为低温蜡，其熔化温度在80℃以下。
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