[发明专利]硅纳米管的制作方法有效
| 申请号： | 201110328166.2 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102412121A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅纳米管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；
刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；
在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；
去除多晶硅线上的氮化硅；
在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；
在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。
2.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于：所述第一角度和第二角度互为镜像角度。
3.根据权利要求1或2所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于：所述第一角度或第二角度为20-30°。
4.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅的厚度为100-600埃。
5.根据权利要求1所述的硅纳米管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅用热磷酸去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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