[发明专利]带空气间隙结构的半导体功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110327945.0 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103077958A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空气 间隙 结构 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种带空气间隙结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙呈轴对称排放。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙下方与所述半导体功率器件的P型区的距离为0.5～5μm。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述空气间隙的面积为所述半导体功率器件总面积的1/10～1/3。
5.一种带空气间隙结构的半导体功率器件的制造方法，其特征在于，所述空气间隙结构的制作，包括以下步骤：
1)在硅片的电子漂移区上方涂布光刻胶；
2)曝光，打开光刻图形；
3)在电子漂移区内进行深沟槽的刻蚀，刻蚀完成后去除光刻胶；
4)在电子漂移区上方生长外延，直到把所述深沟槽堵住，同时形成空气间隙；
5)把所述外延的表面磨平，完成空气间隙结构的制作。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻图形的形状为圆形、方形、正多边形、环型或者不规则形状。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述深沟槽呈轴对称排放。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述深沟槽的底部与所述半导体功率器件的P型区的距离为0.5～5μm。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述深沟槽的面积为所述半导体功率器件总面积的1/10～1/3。
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