[发明专利]一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法有效
| 申请号: | 201110324879.1 | 申请日: | 2011-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN102509648A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
| 发明(设计)人: | 顾有松;邱英;秦子;张跃 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
| 主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人: | 刘淑芬 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 ga 掺杂 zno 纳米 材料 制备 方法 | ||
1.一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,其制备工艺为:
将一定摩尔比的六水合硝酸锌和硝酸镓溶于去离子水中,进行超声波处理得澄清透明溶液,然后加入乙二胺和氢氧化钠调整溶液的PH值经长时间的超声波处理得乳白色反应前驱液;其中,六水合硝酸锌与硝酸镓的摩尔比为1:0.01~1:0.1,乙二胺与去离子水的体积比为1:30,在溶液中添加氢氧化钠使反应前驱液的PH在9~11的范围内变化;
将FTO导电玻璃片作为生长基底,依次经过丙酮,无水乙醇,异丙醇和去离子水进行多次清洗直到玻璃表面无明显灰尘,最后将其烘干备用,将上述处理好的玻璃基片放入第一步配置好的反应前驱液中,密封加温反应;
反应温度为90~110℃,反应时间为22~32小时;
反应结束后,将玻璃片取出,用去离子水反复冲洗后烘干即可看到玻璃基片上形成了均匀疏松的白色薄膜,此白色薄膜即为所制得的Ga掺杂ZnO纳米材料。
2.如权利要求1所述的Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,其特征在于:混合好的反应前驱液需要经过30min~1h的超声波处理。
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