[发明专利]像素电路及其补偿方法有效
| 申请号: | 201110324774.6 | 申请日: | 2011-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN102629447A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 及其 补偿 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种像素电路及其补偿方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)为电流驱动主动发光型器件,因其具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点,以OLED为基础的有机发光显示预计今后几年将成为显示领域的主流。有机发光显示的每个显示单元,都是由OLED构成的,有机发光显示按驱动方式可分为有源有机发光显示和无源有机发光显示,其中有源有机发光显示是指每个OLED都有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路来控制流过OLED的电流,OLED和用于驱动OLED的TFT电路构成像素电路,因此,为保证有源有机发光显示面板亮度的均匀性,就要求位于背板的不同区域内,用于驱动OLED的TFT特性具有一致性和稳定性。
TFT的阈值电压和很多因素有关,包括TFT漏极的掺杂、电介质的厚度、栅极材质和电介质中的过剩电荷,目前在背板尤其是大尺寸的背板制作过程中,由于工艺条件和水平的限制很难做到这些因素的一致性,使得各TFT的阈值电压偏移不一致;另外,长时间工作导致的TFT稳定性下降等问题,也会使得TFT的阈值电压偏移不一致,而TFT的阈值电压偏移不一致又会造成流经各OLED的电流有所差异,为了降低或者最大程度减少这种差异,就需要能够补偿这种差异的像素电路。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:
现有技术中补偿效果好的像素电路结构复杂,时序信号较多,如图1所示,此结构中除OLED D1外,需要6个TFT,两个电容,6个信号线;并且在高分辨率的要求下,在小的像素面积上设计结构很复杂的像素电路,除要求很高的背板制造工艺外,也会使得产品成品率及产率低,使得产品成本增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种像素电路及其补偿方法,能够补偿阈值电压偏移所造成的流过OLED的电流差异,并且结构简单,可以提高产品成品率及产率,降低产品成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种像素电路,包括:
发光元件;
用于驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管的源极用于输入工作电压信号,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述发光元件相连接;
用于控制数据信号输入的第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源极用于输入数据信号,所述第三薄膜晶体管的栅极用于输入控制数据信号输入的扫描信号;
用于储存数据信号的电容,所述电容的两极板分别与所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述工作电压信号的输出端相连接;
用于补偿流过所述发光元件的电流差异的补偿模块,所述补偿模块的输入端与所述第三薄膜晶体管的漏极相连接,所述补偿模块的输出端与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接。
所述补偿模块为第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的源极作为所述补偿模块的输入端,与所述第三薄膜晶体管的漏极相连接,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一薄膜晶体管的漏极相连接后作为所述补偿模块的输出端,与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接。
所述的像素电路,还包括:用于接收复位控制信号,并驱动所述驱动薄膜晶体管的栅极电位进行复位的复位模块,所述复位模块输入端用于接收复位控制信号,所述复位模块的输出端与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接。
所述复位模块为第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的源极用于输入低电压信号,所述第二薄膜晶体管的栅极作为所述复位模块的输入端,用于接收控制所述第二薄膜晶体管的开关的复位控制信号,所述第二薄膜晶体管的漏极作为所述复位模块的输出端,与所述驱动薄膜晶体管的栅极相连接。
所述发光元件为有机发光二极管。
一种补偿方法,包括:
扫描信号开启所述第三薄膜晶体管,所述数据信号中的本帧信号经所述补偿模块输入到所述驱动薄膜晶体管的栅极及所述电容;
扫描信号关闭所述第三薄膜晶体管,所述电容储存的所述本帧信号驱动所述驱动薄膜晶体管开启,使得所述发光元件发光。
所述扫描信号开启所述第三薄膜晶体管,所述数据信号中的本帧信号经所述补偿模块输入到所述驱动薄膜晶体管的栅极及所述电容,具体为:
扫描信号开启所述第三薄膜晶体管,所述数据信号中的本帧信号经所述第三薄膜晶体管输入到所述第一薄膜晶体管的源极,由所述第一薄膜晶体管的漏极输出到所述驱动薄膜晶体管的栅极及所述电容。
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