[发明专利]用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法及薄膜太阳能电池

权利要求书

1. 用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：在待掺杂的膜层表面放置含掺杂元素的粉末，使所述待掺杂的膜层的温度达到150～300℃并保持1～30min，然后移除剩余在所述待掺杂的膜层表面的所述粉末。

2. 根据权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：所述元素为铜，所述粉末为含铜的无机盐或有机盐粉末或金属铜粉。

3. 根据权利要求2所述的用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：所述含铜的无机盐或有机盐粉末为CuCl、CuCl₂、CuSO₄、Cu(NO₃)₂、CuC₂O₄、Cu(C₆H₄NO₂)₂、Cu(CH₃COO)₂中的一种或两种以上粉末的混合物。

4. 根据权利要求1-3任一项所述的用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：所述移除方法包括吹除、吸除或清洗。

5. 根据权利要求4所述的用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：所述待掺杂的膜层的温度保持在180～240℃，时间为1～10min。

6. 如权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法制备的薄膜太阳能电池，包括玻璃基板、透明导电氧化物层、窗口层、吸光层和背电极层，其特征在于：所述吸光层表面和内部被掺杂所述元素。

7. 根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述元素为铜，所述粉末为含铜的无机盐或有机盐粉末或金属铜粉末。

8. 根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述含铜的无机盐或有机盐粉末为CuCl、CuCl₂、CuSO₄、Cu(NO₃)₂、CuC₂O₄、Cu(C₆H₄NO₂)₂、Cu(CH₃COO)₂中的一种或两种以上粉末的混合物。

9. 根据权利要求6-8任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述透明半导体氧化物层为FTO、AZO、ITO或CTO。

10. 根据权利要求6-8任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述窗口层和所述吸光层为ZnO、ZnS、ZnSe、 ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、CIGS、MgO、MgS、MgSe、MgTe、HgO、HgS、 HgSe、HgTe、MnO、MnS、MnTe、InSb、TiN、TiP、TiAs或TiSb 中的一种或两种组成的一层或两层以上结构。

11. 根据权利要求6-8任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述背电极层是Au、Ag、Cu、Al、Cr、Ni、V、Mo、石墨以及它们的氧化物、氮化物、碳化物中的一种或两种以上组成的一层或两层以上结构。

12. 根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述透明半导体氧化物层为FTO，所述窗口层为CdS，所述吸光层为CdTe，所述背电极层为MoO_x、Al和Cr组成的三层结构。