[发明专利]有多个半透过部分的半色调掩模及其制造方法无效
申请号: | 201110322312.0 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN102360159A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 姜甲錫;朴宰佑;朴相昱;沈惟敬;李勤植 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 韩国首*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有多个半 透过 部分 色调 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有多个半透射部分的半色调掩模,包括:
透明基板;
光透射部分,其形成于所述透明基板上以透射预定波段的辐射光;
遮光部分,其形成于所述透明基板上以遮蔽所述预定波段的辐射 光;以及
至少两个或更多个半透射部分,其通过将半透射材料沉积在所述透 明基板上形成,用于以各不相同的光透射使所述预定波段的辐射光穿 过,
其中所述半透射材料包括作为主要元素的Cr、Si、Mo、Ta、Ti和 Al,以及是至少两种或更多种主要元素混合而成的复合材料,或者是在 复合材料中加入了COx、Ox和Nx中的至少一种的其他材料。
2.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中所述至少两个或更多个 半透射部分的光透射根据所述半透射材料的成分或所述半透射部分的厚 度加以控制。
3.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中所述遮光部分通过沉积 遮光材料薄膜来形成,或通过依次沉积半透射材料薄膜和遮光材料薄膜而 形成。
4.一种制造具有多个半透射部分的半色调掩模的方法,包括:
在透明基板上依次形成遮光层和第一光刻胶,并通过依次使用曝光工 艺、显影工艺和蚀刻工艺在所述遮光层上形成用于透射光的光透射部分和 用于遮蔽光的遮光部分;
在去除所述第一光刻胶之后,沉积用于透射所辐射在所述遮光部分和 所述光透射部分上的预定波段的光的仅仅一部分的半透射材料;
在所述半透射材料上形成第二光刻胶,并曝光和显影所述第二光刻胶 以暴露出所述半透射材料的一部分;
在蚀刻所暴露的所述半透射材料之后,通过去除所述第二光刻胶形成 基本半透射部分;以及
在其上未形成所述基本半透射部分的光透射部分上沉积半透射材 料,并形成至少一个光透射不同于所述基本半透射部分的附加半透射部 分。
5.一种制造有多个半透射部分的半色调掩模的方法,包括:
依次在透明基板上形成遮光层和第一光刻胶,并通过依次使用曝光工 艺、显影工艺和蚀刻工艺在所述遮光层上形成用于透射光的透射部分和用 于遮蔽光的遮光部分;
在去除所述第一光刻胶,并在所述光透射部分和所述遮光部分上形成 第二光刻胶之后,曝光和显影所述第二光刻胶,以将于其上形成半透射部 分的一部分光透射部分暴露于外;
将所述半透射材料沉积到所述暴露于外的光透射部分的上部和所述 第二光刻胶的上部;
通过使用浮离法去除所述第二光刻胶和沉积在所述第二光刻胶上部 的所述半透射材料,并保留只是位于所述的暴露于外的光透射部分的上部 的半透射材料,以此来形成基本半透射部分;以及
将所述半透射材料沉积在其上未形成所述基本半透射部分的所述光 透射部分上,并形成至少一个光透射不同于所述基本半透射部分的附加半 透射部分。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中形成所述半透射部分包括:
将第三光刻胶形成在所述基本半透射部分、所述光透射部分和所述遮 光部分上,并曝光和显影所述第三光刻胶,以将于其上形成半透射部分的 一部分光透射部分暴露于外;
将所述半透射材料沉积到所述暴露于外的光透射部分的上部以及所 述第三光刻胶的上部;以及
通过使用浮离法去除所述第三光刻胶和沉积在所述第三光刻胶上部 的所述半透射材料,并保留只是位于所述的暴露于外的光透射部分的上部 的所述半透射材料。
7.根据权利要求4或5所述的方法,其中重复进行形成附加半透射 部分,以另外形成附加半透射部分。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备