[发明专利]吡啶甲酸锂络合物、其制备方法和有机电致发光器件有效
申请号: | 201110321812.2 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN102675352A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 李娜;朴炯俊;肖田;金馝奭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C07F1/02 | 分类号: | C07F1/02;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王朋飞;王加岭 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吡啶甲酸 络合物 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,其具有通式I所示结构:
其中,R选自氢、氰基、硝基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、羧基或酯基。
2.根据权利要求1所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,R选自具有1至20个碳原子的取代或未取代的烷基、具有5至20个碳原子的取代或未取代的环烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、具有6至60个碳原子的芳烷基、具有5至50个环碳原子的芳基、具有6至50个环原子的芳氧基、具有1至20个碳原子的羧基或具有2至20个碳原子的酯基。
3.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述取代的烷基选自羟基烷基、卤代烷基、氨基烷基;所述未取代的烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基或正辛基。
4.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述取代的环烷基选自4-甲基环己基、金刚烷基或降冰片烷基;所述未取代的环烷基选自环戊基或环己基。
5.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述烷氧基是由-OR1表示的基团,其中R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟基烷基、卤代烷基、氨基烷基、氰基烷基或硝基烷基。
6.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述芳烷基选自苄基、苯基乙基、苯基异丙基、苯基叔丁基、萘基甲基、萘基乙基、萘基异丙基、2-β-萘基异丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、甲基苄基、卤代苄基、氨基苄基、硝基苄基、氰基苄基、1-氯-2-苯基异丙基或三苯甲基。
7.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述芳基选自苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、芘基、联苯基、对三联苯基、间三联苯基、甲苯基、对叔丁基苯基、对-(2-苯基丙基)苯基、甲基蒽基、4′-甲基联苯基、4″-叔丁基-对三联苯-4-基、吡咯基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯琳基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基、噻吩基、甲基吡咯基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、甲基吲哚基或叔丁基吲哚基。
8.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述芳氧基是由-OAr表示的基团,其中Ar选自苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、芘基、联苯基、对三联苯基、间三联苯基、甲苯基、对叔丁基苯基、对-(2-苯基丙基)苯基、甲基萘基、4′-甲基联苯基、4″-叔丁基-对三联苯-4-基、吡咯基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯琳基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基、噻吩基、甲基吡咯基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、甲基吲哚基或叔丁基吲哚基。
9.根据权利要求1或2所述的吡啶甲酸锂络合物,其特征在于,所述酯基选自甲酯基、乙酯基、丙酯基、异丙酯基、正丁酯基、仲丁酯基、异丁酯基、正戊酯基、正己酯基、正庚酯基或正辛酯基。
10.一种制备权利要求1至9任一项所述的吡啶甲酸锂络合物的方法,其包括如下步骤:将2-甲基吡啶溶于有机溶剂中,冰浴,在搅拌下加入催化量的无水AlCl3和适量的RCl,反应产物经处理后,溶于乙醇的水溶液中,加入氧化量的KMnO4反应后,加入过量金属Li,在无水无氧条件下,回流,冷却,过滤,纯化,得到带有取代基R的吡啶甲酸锂;
其中,2-甲基吡啶与RCl的摩尔比为1∶1~1.5,R如权利要求1所定义。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述有机溶剂选自苯、硝基苯、四氢呋喃、二氯甲烷或二氧六环,所述2-甲基吡啶与有机溶剂的摩尔比为1∶10~30。
12.一种有机电致发光器件,其包括基片、阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,其特征在于,所述电子注入层含有至少一种权利要求1至9任一项所述的吡啶甲酸锂络合物。
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