[发明专利]一种石墨烯纳米图案的加工方法

权利要求书

1.一种石墨烯纳米图案的加工方法，包括：

在石墨烯上形成人工缺陷；

用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述人工缺陷包括孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述人工缺陷可以排列成点阵图 案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述点阵图案可以为三角点阵或 矩形点阵。

5.根据权利要求1所述的方法，其中人工缺陷可以通过光刻、纳米压 印、机械冲击、激光扫描而形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用含氢等离子体对石墨烯的各向 异性刻蚀，使人工缺陷逐渐增大，直到形成所需图案为止。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氢等离子体刻蚀的参数 为：反应温度，室温至520℃；气压，小于1Torr；等离子体功率，30-120W； 刻蚀速度，小于15nm/分钟。

8.根据权利要求3所述的方法，还包括确定石墨烯晶格取向，并设计 所述人工缺陷的点阵图案的取向与石墨烯晶格取向之间的夹角。

9.根据权利要求8所述的方法，其中确定石墨烯晶格取向的方法包 括：

在石墨烯片上刻蚀出一个小孔；

用含氢等离子体刻蚀，将这个小孔扩展成六角形大孔，根据该六角形 大孔的边缘的取向来确定石墨烯的晶格取向。

10.根据权利要求1、6、7或9所述的方法，其中含氢等离子体包括 氢气、甲烷、乙烯、水蒸气所生成的等离子体。