[发明专利]一种超亲水薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110321684.1 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN102503156A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 张国俊;张蕾;郭红霞;纪树兰 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C03C17/00 | 分类号: | C03C17/00;C04B41/50 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超亲水 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种超亲水薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将微米粒子在超声状态下加入到聚阳离子溶液中,孵化、离心,形成表面荷正电的微米粒子包络体;
(2)将步骤(1)中制备的表面荷正电的微米粒子包络体溶液在超声状态下加入到聚阴离子溶液中,孵化、离心,形成表面荷负电的微米粒子包络体;
(3)依次重复步骤(1)和(2),其中步骤(1)为N+1次,步骤(2)为N次,可得表面荷正电的微米粒子包络体溶液;步骤(1)M次,步骤(2)M次,可得表面荷负电的微米粒子包络体溶液;
(4)将纳米粒子加入到聚阳或阴离子溶液中,超声、离心,离心后将上清液换成与上清液等体积去离子水;重复1~10次,制得聚阳或阴离子纳米粒子包络体溶液;
(5)超声状态下,将步骤(4)聚阳或阴离子纳米粒子包络体溶液加入到表面荷负电或荷正电的微米粒子包络体溶液中,孵化、离心,形成表面荷负电或荷正电类覆盆子粒子;
在上述溶液配制步骤后,进一步按照下列步骤在基片上继续组装:
(6)将预处理后的荷负电基片置于表面荷正电的微米粒子包络体或表面荷正电的类覆盆子粒子溶液中,使表面荷正电的微米粒子包络体或表面荷正电的类覆盆子粒子组装在基片表面,形成薄膜层,将基片取出烘干;
(7)将步骤(6)中的基片置于表面荷负电类覆盆子粒子或表面荷负电的微米粒子包络体溶液中,使类覆盆子粒子与带相反电荷的微米粒子包络体通过静电吸附组装,形成薄膜,将基片取出烘干;
(8)重复步骤(6)、(7)N次,即可得到超亲水薄膜;
或者按照下述步骤进行组装:
(9)将预处理后荷负电的基片置于表面荷正电的类覆盆子粒子溶液中,使表面荷正电的类覆盆子粒子组装在基片表面,将基片取出烘干;
(10)将步骤(9)中的基片置于表面荷负电类覆盆子粒子溶液中进行组装,将基片取出烘干;
(11)重复步骤(9)、(10)N次,也可得到超亲水薄膜。
2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,聚阳离子优选自聚乙烯亚胺、聚二烯丙基二甲基氯化铵、聚烯丙基胺盐酸盐、聚四乙烯基吡啶;聚阴离子材料选自聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸钠、磺化聚砜。
3.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的微米粒子为二氧化硅、碳酸锰、碳酸钙、硫酸钡、二氧化钛、三氧化二铝,粒径为1~5微米。
4.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的纳米粒子为二氧化锆、二氧化钛、三氧化二铝、二氧化硅、碳酸锰、碳酸钙、硫酸钡,粒径为1~100纳米。
5.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的基片是石英玻璃、单晶硅、氟化钙。
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