[发明专利]晶须集合体的制造方法

权利要求书

1.一种制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底的表面上提供种原子层；

配置所述第一衬底和绝缘衬底来使所述第一衬底的所述表面与所述绝缘衬底的表面平行；以及

导入含有硅的气体并进行化学气相淀积来使晶须集合体生长。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述晶须集合体形成在所述绝缘衬底的所述表面上。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中将减压化学气相淀积装置用于导入所述含有硅的气体并进行所述化学气相淀积来使所述晶须集合体生长。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述进行所述化学气相淀积的步骤在如下条件下进行：温度为600℃以上且700℃以下；压力为20Pa以上且200Pa以下；SiH₄气体的流量比为300sccm以上且3000sccm以下；并且N₂气体的流量比为0sccm以上且1000sccm以下。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述晶须集合体的晶须单体的宽度为50nm至300nm，直径为100nm至400nm，且长度为700nm至800nm。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一衬底为铝硅酸盐玻璃衬底、钡硼硅酸盐玻璃衬底、铝硼硅酸盐玻璃衬底、蓝宝石衬底和石英衬底中的任一种。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述绝缘衬底与所述第一衬底之间的距离为1.0cm以上且3.0cm以下。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述种原子层的厚度为10nm以上且1000nm以下。

9.一种制造方法，包括如下步骤：

配置绝缘衬底和第一衬底，所述第一衬底由种原子构成，其中所述第一衬底的表面与所述绝缘衬底的表面平行；以及

导入含有硅的气体进行化学气相淀积来使晶须集合体生长。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述晶须集合体形成在所述绝缘衬底的所述表面上。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其中将减压化学气相淀积装置用于导入所述含有硅的气体并进行所述化学气相淀积来使所述晶须集合体生长。

12.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述进行所述化学气相淀积的步骤在如下条件下进行：温度为600℃以上且700℃以下；压力为20Pa以上且200Pa以下；SiH₄气体的流量比为300sccm以上且3000sccm以下；并且N₂气体的流量比为0sccm以上且1000sccm以下。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述晶须集合体的晶须单体的宽度为50nm至300nm，直径为100nm至400nm，且长度为700nm至800nm。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述绝缘衬底与所述第一衬底之间的距离为1.0cm以上且3.0cm以下。

15.一种制造方法，包括如下步骤：

在第一衬底的表面上提供第一种原子层；

在第二衬底的表面上提供第二种原子层；

配置所述第一衬底、绝缘衬底和所述第二衬底来使所述第一衬底的所述表面与所述绝缘衬底的一个表面平行，并且所述第二衬底的所述表面与所述绝缘衬底的另一个表面平行；以及

导入含有硅的气体并进行化学气相淀积来使晶须集合体生长。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述晶须集合体形成在所述绝缘衬底的所述一个表面和所述另一个表面上。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其中将减压化学气相淀积装置用于导入所述含有硅的气体并进行所述化学气相淀积来使所述晶须集合体生长。