[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110321129.9 申请日: 2007-01-31
公开(公告)号: CN102324420A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 荒泽亮;岩渊友幸 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L23/544;H01L27/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;朱海煜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

衬底,所述衬底包括第一蒸发沉积区域和在所述第一蒸发沉积区域内的第二蒸发沉积区域,其中所述第二蒸发沉积区域具有至少四个角;

像素,所述像素包括第一薄膜晶体管,并且设置在所述第二蒸发沉积区域;

至少四个测试元件组,每个测试元件组包括第二薄膜晶体管,所述至少四个测试元件组中的每一个靠近所述至少四个角的每一个设置,并且在所述第二蒸发沉积区域外且在所述第一蒸发沉积区域内设置;以及

第二衬底,所述第二衬底与所述第一蒸发沉积区域重叠,

其中,所述第二薄膜晶体管的源极、漏极、和栅极分别电连接到第一端子、第二端子、和第三端子,

其中,所述源极和所述漏极中的一个还电连接到第四端子,以及

其中,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子、和所述第四端子设置在与所述第二衬底不重叠的区域。

2.按照权利要求1的显示装置,其中所述显示装置是选自由便携式信息终端、相机、移动电话、电视、以及移动计算机构成的组中的一种。

3.按照权利要求1的显示装置,还包括:

布线,所述布线与所述四个测试元件组之一的所述第二薄膜晶体管的所述源极、所述漏极和所述栅极之一电连接;以及

驱动电路,所述驱动电路在所述布线上面,其间插入绝缘层。

4.按照权利要求1的显示装置,还包括:

缓冲器,用于输出固定电势,其中所述四个测试元件组之一的所述第二薄膜晶体管的所述栅极电连接到所述缓冲器。

5.按照权利要求1的显示装置,其中所述四个测试元件组的所述第二薄膜晶体管的所述栅极彼此电隔离。

6.一种显示装置,包括:

衬底,所述衬底包括第一蒸发沉积区域和在所述第一蒸发沉积区域内的第二蒸发沉积区域,其中所述第二蒸发沉积区域具有至少四个角;

像素,所述像素包括第一薄膜晶体管,并且设置在所述第二蒸发沉积区域;

至少四个测试元件组,每个测试元件组包括第二薄膜晶体管,所述至少四个测试元件组中的每一个靠近所述至少四个角的每一个设置,并且在所述第二蒸发沉积区域外且在所述第一蒸发沉积区域内设置;

电致发光层,所述电致发光层形成在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上面;以及

第二衬底,所述第二衬底与所述第一蒸发沉积区域重叠,

其中,所述第二薄膜晶体管的源极、漏极、和栅极分别电连接到第一端子、第二端子、和第三端子,

其中,所述源极和所述漏极中的一个还电连接到第四端子,以及

其中,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子、和所述第四端子设置在与所述第二衬底不重叠的区域。

7.按照权利要求6的显示装置,其中所述电致发光层通过蒸发沉积形成。

8.按照权利要求6的显示装置,其中所述显示装置是选自由便携式信息终端、相机、移动电话、电视、以及移动计算机构成的组中的一种。

9.一种显示装置,包括:

衬底,所述衬底包括第一蒸发沉积区域和在所述第一蒸发沉积区域内的第二蒸发沉积区域,其中所述第二蒸发沉积区域具有至少四个角;

像素,所述像素包括第一薄膜晶体管,并且设置在所述第二蒸发沉积区域;

至少四个测试元件组,每个测试元件组包括第二薄膜晶体管,所述至少四个测试元件组中的每一个靠近所述至少四个角的每一个设置,并且在所述第二蒸发沉积区域外且在所述第一蒸发沉积区域内设置;

驱动电路,所述驱动电路包括形成在所述衬底上面的第三薄膜晶体管;以及

第二衬底,所述第二衬底与所述第一蒸发沉积区域重叠,

其中,所述第二薄膜晶体管的源极、漏极、和栅极分别电连接到第一端子、第二端子、和第三端子,

其中,所述源极和所述漏极中的一个还电连接到第四端子,以及

其中,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子、和所述第四端子设置在与所述第二衬底不重叠的区域。

10.按照权利要求9的显示装置,其中所述驱动电路设置在密封区域。

11.按照权利要求9的显示装置,其中所述显示装置是选自由便携式信息终端、相机、移动电话、电视、以及移动计算机构成的组中的一种。

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