[发明专利]一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用有效
| 申请号: | 201110321054.4 | 申请日: | 2011-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN102315113A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 张楷亮;徐娟;袁育杰;王芳;吴小国 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300384 天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 挥发性 太阳电池 单晶硅 制绒液 应用 | ||
1.一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液,其特征在于:由氢氧化钠或氢氧化钾、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、硅酸钠、异丙醇和水混合组成。
2.根据权利要求1所述具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液,其特征在于:所述制绒液中氢氧化钠或氢氧化钾的质量百分比浓度为1-3%、十六烷基三甲基溴化铵的质量百分比浓度大于0.5%;硅酸钠与氢氧化钠或氢氧化钾的质量比为1:3、异丙醇与氢氧化钠或氢氧化钾的质量比为1:6-7;水为余量。
3.一种如权利要求1所述具有低挥发性的单晶硅太阳电池的制绒液的应用,其特征在于用于太阳电池单晶硅片的制绒,步骤如下:
1)首先对单晶硅片实施去损伤处理,方法是将单晶硅片放入质量百分比浓度为25%的NaOH碱溶液中,在85℃温度下浸泡1-2分钟;
2)将上述处理后的单晶硅片放入制绒液中,在水浴加热温度为75-85℃条件下进行制绒,制绒时间为15到25min分钟;
3)取出单晶硅片,用去离子水清洗后晾干即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





