[发明专利]单晶硅边皮的清洗方法有效
| 申请号： | 201110320960.2 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102380490A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 俞振明;王欣;杨乐 | 申请（专利权）人： | 高佳太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈慧珍 |
| 地址： | 214174 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。
2.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于：所述步骤1)中使用的有机溶剂可以为酒精、丙酮。
3.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于：所述步骤1)中的油性成分为硅体编号等油性笔字迹和徒手接触硅体产生的油脂成分。
4.根据权利要求1所述的单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于：所述步骤2)中使用的普通洗涤剂为普通家用洗涤剂。
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