[发明专利]氟化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氟化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为Zr_aBa_bLa_cY_dAl_eNa_fF_g:hPr³⁺；其中，Pr³⁺为掺杂离子，a、b、c、d、e、f、g、h为摩尔系数，0.44≤a≤0.55、0.16≤b≤0.24、0.01≤c≤0.05、0.01≤d≤0.05、0.01≤e≤0.08、0.15≤f≤0.35、2.90≤g≤2.96、0.005≤h≤0.03，且a+b+c+d+e+f+h＝1。

2.根据权利要求1所述的氟化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，a＝0.53、b＝0.2、c＝0.02、d＝0.02、e＝0.03、f＝0.19、g＝2.95、h＝0.01。

3.一种氟化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体：

ZrF₄，44％～55％；

BaF₂，16％～24％；

LaF₃，1％～5％；

YF₃，1％～5％；

AlF₃，1％～8％；

NaF，15％～21.5％；

PrF₃，0.5％～3％；

步骤S2、将步骤S1称取的粉体混合、研磨20～60分钟，获得粉料前驱体；

步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800～1000℃下煅烧0.5～5小时，随后降温至100～250℃，并在此温度下保温1～3小时后冷却至室温，获得块状产物；

步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述氟化物上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为Zr_aBa_bLa_cY_dAl_eNa_fF_g:hPr³⁺；其中，Pr³⁺为掺杂离子，a、b、c、d、e、f、g、h为摩尔系数，0.44≤a≤0.55、0.16≤b≤0.24、0.01≤c≤0.05、0.01≤d≤0.05、0.01≤e≤0.08、0.15≤f≤0.35、2.90≤g≤2.96、0.005≤h≤0.03，且a+b+c+d+e+f+h＝1。

4.根据权利要求3所述的氟化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S1中，a＝0.53、b＝0.2、c＝0.02、d＝0.02、e＝0.03、f＝0.19、g＝2.95、h＝0.01。

5.根据权利要求3所述的氟化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟。

6.根据权利要求3所述的氟化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为950℃，煅烧时间为3小时。

7.根据权利要求3所述的氟化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述煅烧过程结束后，降温至250℃下保温2小时。

8.权利要求1或2所述氟化物上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用。