[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 201110320285.3 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456411A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 筱田建 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
1.一种半导体存储器，其特征在于，具有：
多个存储单元；
至少一根字线，与所述多个存储单元连接；
多个第一副位线以及多个第二副位线，和所述字线交叉且与所述多个存储单元连接；
多个选择器元件，一端连接于所述第一副位线的每一个；
至少一根主位线，对所述选择器元件的每相互邻接的两个进行设置且与这两个选择器元件的另一端共同连接；
至少一根固定电位线，与所述主位线并置，并且与固定电位连接；以及
电压生成电路，与所述第二副位线连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还具有：驱动电路，以不同的定时对所述多个选择器元件的相互邻接的两个进行导通驱动。
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于，
所述第一副位线以及所述第二副位线设置在第一层间绝缘层上，
所述主位线以及所述固定电位线设置在覆盖所述第一副位线以及所述第二副位线的第二层间绝缘层上，
与所述选择器元件的相互邻接的两个连接的所述第一副位线的一方隔着所述第二层间绝缘层与所述主位线对置。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，与多个存储单元的每一个连接的所述第一副位线以及第二副位线隔着所述第二层间绝缘层与所述主位线对置。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，与所述选择器元件的相互邻接的两个连接的所述第一副位线的另一方隔着所述第二层间绝缘层与所述固定电位线对置。
6.根据权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述主位线以及所述固定电位线交替配置。
7.根据权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述固定电位线与接地电位连接。
8.根据权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述主位线的设置位置相对于与所述多个选择器元件的相互邻接的两个的一方连接的所述存储单元的设置位置的配置关系，和所述固定电位线的设置位置相对于与所述多个选择器元件的相互邻接的两个的另一方连接的所述存储单元的设置位置的配置关系是相同的。
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