[发明专利]一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液

权利要求书

1.一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法，其特征在于步骤如下：

1）先对硫系相变材料粗抛，以快速去除镶嵌结构中通孔之外大量多余的硫系化合物；

2）然后对粗抛后的硫系相变材料继续进行超精细抛光，以将剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最终的通孔阵列结构。

2.一种如权利要求1所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：包括用于粗抛的抛光液A和用于超精细抛光的抛光液B，由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成；其各成分的质量百分比是：纳米研磨料为1.0-30.0wt%、pH调节剂加入量是使纳米抛光液pH值为7-12、表面活性剂为0.01-1.0wt%、消泡剂为20-200ppm、杀菌剂为10-50ppm、助清洗剂为0.01wt%-0.1wt%、余量为溶剂。

3.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述纳米研磨料为氧化铈和二氧化硅中的一种或两种任意比例的混合物，其中氧化铈为其水分散体，二氧化硅为胶体溶液；在抛光液A中纳米研磨料的粒径为130-200nm，在抛光液B中纳米研磨料的粒径为1-30nm。

4.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述pH调节剂为由无机pH调节剂和有机pH调节剂组成的复合pH调节剂，无机pH调节剂为KOH，有机pH调节剂为氨水、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵或羟基胺；无机pH调节剂和有机pH调节剂的体积比为1：1-8。

5.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述表面活性剂为硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚和十二烷基乙二醇醚中的一种或两种任意比例的混合物。

6.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述消泡剂为聚二甲基硅烷。

7.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述杀菌剂为异构噻唑啉酮。

8.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述助清洗剂为异丙醇。

9.根据权利要求2所述用于硫系相变材料的化学机械抛光方法的抛光液，其特征在于：所述溶剂为去离子水。