[发明专利]低损耗光纤的设计及其制造方法有效
| 申请号： | 201110319912.1 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102411168A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 兰斯·吉布森;大卫·贝克翰姆;小罗伯特·林格尔 | 申请（专利权）人： | OFS菲特尔有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 损耗 光纤 设计 及其 制造 方法 | ||
1.一种通过光纤发送1550nm波长区中的光信号的方法，该光纤包括：
内纤芯；
最小半径为5微米的外纤芯；以及
最大半径为25微米的凹槽；
其中功率包络按如下分布：
(i)50-80％的光功率在内纤芯中，
(ii)20-40％的光功率在外纤芯中，并且
(iii)少于5％的光功率在凹槽中。
2.如权利要求1所述的方法，其中：
内纤芯的最大半径在2-8微米之间；
外纤芯的最大半径在5-12微米之间；并且
凹槽的最大半径在5-25微米之间。
3.如权利要求1所述的方法，其中内纤芯的折射率Δ在0.001与0.003之间；外纤芯的折射率Δ在0.000与0.001之间；并且凹槽的折射率Δ在-0.0035与-0.0007之间。
4.如权利要求1所述的方法，其中1550nm的衰减小于0.175dB/km。
5.如权利要求1所述的方法，其中1383nm的衰减小于0.31dB/km。
6.如权利要求1所述的方法，其中光缆的截止波长小于1260nm。
7.如权利要求1所述的方法，其中光缆的截止波长小于约1530nm。
8.如权利要求6所述的方法，其中20mm直径的宏弯曲损耗小于2dB/m。
9.如权利要求1所述的方法，其中外纤芯区的折射率，如果不计VAD或OVD微粉处理自然出现的锗扩散尾的话，基本上等于无掺杂石英的折射率。
10.一种用于发送1550nm波长区中的光信号的光纤，该光纤包括：
内纤芯；
最小半径为5微米的外纤芯；以及
最大半径为25微米的凹槽；
其中功率包络按如下分布：
(i)50-80％的光功率在内纤芯中，
(ii)20-40％的光功率在外纤芯中，并且
(iii)少于5％的光功率在凹槽中。
11.如权利要求10所述的光纤，其中：
内纤芯的最大半径在2-8微米之间；
外纤芯的最大半径在5-12微米之间；并且
凹槽的最大半径在5-25微米之间。
12.如权利要求10所述的光纤，其中内纤芯的折射率Δ在0.001与0.003之间；外纤芯的折射率Δ在0.000与0.001之间；并且凹槽的折射率Δ在-0.0035与-0.0007之间。
13.如权利要求10所述的光纤，其中1550nm的衰减小于0.175dB/km。
14.如权利要求10所述的光纤，其中1383nm的衰减小于0.31dB/km。
15.如权利要求10所述的光纤，其中光缆的截止波长小于1260nm。
16.如权利要求10所述的光纤，其中光缆的截止波长小于约1530nm。
17.如权利要求10所述的光纤，其中20mm直径的宏弯曲损耗小于2dB/m。
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