[发明专利]基于氮化物的半导体器件

权利要求书

1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

半导体层，被设置在所述基底上，并且其中产生二维电子气(2DEG)；以及

电极结构，被设置在所述半导体层上，

其中，所述电极结构包括：

第一欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触；

第二欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触，并且与所述第一欧姆电极分隔开；以及

肖特基电极单元，与所述半导体层肖特基接触，并且被设置为与所述第二欧姆电极相邻，同时使所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面暴露。

2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面与所述肖特基电极单元的侧面形成共面。

3.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极单元覆盖所述第二欧姆电极，以选择性地仅暴露所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面。

4.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置有多个所述第二欧姆电极，并且

沿着平行于所述第一欧姆电极的与所述肖特基电极单元相对的侧面的方向排成一线地设置所述第二欧姆电极。

5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置有多个所述第二欧姆电极，并且

所述第二欧姆电极中的每一个具有岛形横截面。

6.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极单元被形成为使得其与所述第一欧姆电极相对的侧面具有凹凸结构，并且

所述第二欧姆电极具有被插入至所述凹凸结构的凹部中的结构。

7.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

半导体层，被设置在所述基底上；以及

电极结构，被设置在所述半导体层上，

其中，所述电极结构包括：

阴极结构，与所述半导体层欧姆接触；以及

阳极结构，具有与所述半导体层肖特基接触的肖特基电极以及与所述半导体层欧姆接触的欧姆电极，

其中，所述肖特基电极被设置为与所述欧姆电极相邻，同时使所述欧姆电极的与所述阴极结构相对的侧面暴露。

8.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述欧姆电极用于降低所述阳极结构的导通电压。

9.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极的与所述阴极结构相对的侧面与所述欧姆电极的侧面形成共面。

10.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述欧姆电极被所述肖特基电极覆盖。

11.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，设置有多个所述欧姆电极，并且

所述欧姆电极被设置为排成一线，以根据肖特基电极的预定间隔隔开。

12.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极被设置为在所述欧姆电极的侧部与所述欧姆电极相邻。

13.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极被设置在所述半导体层的中央区域，

所述阴极结构被设置为围绕所述肖特基电极，并且

所述欧姆电极被设置为沿着所述肖特基电极的边缘区域以预定间隔隔开。

14.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述肖特基电极被形成为使得其与所述阴极结构相对的侧面具有凹凸结构，并且

所述欧姆电极具有被插入至所述凹凸结构的凹部中的结构。

15.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述基底是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板中的至少任意一种。

16.根据权利要求7所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述半导体层包括：

下部氮化物层，使用所述基底作为籽晶层并且生长在所述基底上；以及

上部氮化物层，使用所述下部氮化物层作为籽晶层而被形成在所述下部氮化物层上，并且具有比所述下部氮化物层的能量带隙宽的能量带隙，

其中，在所述下部氮化物层与所述上部氮化物层之间产生二维电子气(2DEG)。