[发明专利]在超薄晶片上进行离子注入的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种在超薄晶片上进行离子注入的方法。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在IGBT器件制造过程中，在保证器件耐压的情况下，所用晶片的厚度越薄，IGBT器件的通态压降和散热性能越好。目前，制造耐压1200V的IGBT器件时所用晶片的厚度约为130μm，制造耐压600V的IGBT器件时所用晶片的厚度约为60～70μm。

但是，晶片越薄，在其上制作IGBT器件时对各工艺步骤及相应设备的要求也越高，有时必须进行特殊定制或改造，进而使得投资较大。例如，在离子注入工艺过程中，由于普通的离子注入机只能在标准厚度为625μm的晶片上进行离子注入，因此，在超薄(例如130μm或60～70μm)晶片上进行离子注入时，就需要对普通的离子注入机进行改造，这一方面使得投资较大，另一方面改变了离子注入机的原有结构，使得离子注入工艺后器件的成品率也难以保证。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种在超薄晶片上进行离子注入的方法，该方法不仅可节约投资，而且可保证离子注入工艺后器件的成品率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种在超薄晶片上进行离子注入的方法，该方法包括：

提供一超薄晶片和一挡片，所述超薄晶片的厚度小于预设厚度；

测量所述超薄晶片的厚度并记录；

对所述挡片进行减薄，使减薄后的挡片的厚度与所述超薄晶片的厚度之和为预设厚度；

将所述超薄晶片和减薄后的挡片粘贴在一起，且使超薄晶片上进行离子注入的一面朝外；

将粘贴在一起的超薄晶片和挡片置于离子注入机中，在所述超薄晶片表面进行离子注入。

优选的，上述方法中，对所述挡片进行减薄，采用机械研磨方式进行。

优选的，上述方法中，对所述挡片进行减薄，采用机械研磨和酸液刻蚀相结合的方式进行。

优选的，上述方法中，将所述超薄晶片和减薄后的挡片粘贴在一起，之前还包括：

对所述超薄晶片和减薄后的挡片分别进行清洗。

优选的，上述方法中，将所述超薄晶片和减薄后的挡片粘贴在一起，具体包括：

将所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘贴治具内；

将所述减薄后的挡片放置在所述粘贴治具内的超薄晶片上，使所述减薄后的挡片与所述超薄晶片完全重合；

采用胶带将所述粘贴治具边缘缺口处裸露着的超薄晶片和挡片粘贴在一起；

将粘贴在一起的超薄晶片和挡片从所述粘贴治具内取出。

优选的，上述方法中，在所述超薄晶片表面进行离子注入，之后还包括：

将粘贴在一起的超薄晶片和挡片从所述离子注入机中取出；

将粘贴在一起的超薄晶片和挡片进行分离。

优选的，上述方法中，将粘贴在一起的超薄晶片和挡片进行分离，具体包括：

将粘贴在一起的超薄晶片和挡片置于真空吸盘上，所述真空吸盘边缘设置有与粘贴治具边缘相对应的缺口，使所述超薄晶片朝下放置，且使粘贴在超薄晶片上的胶带裸露在真空吸盘边缘的缺口处；

气缸带动橡胶吸嘴下落，使所述橡胶吸嘴接触所述真空吸盘上的挡片；

去除粘贴在所述超薄晶片和挡片上的胶带；

使气缸带动橡胶吸嘴上升，所述挡片在橡胶吸嘴的吸力下向上运动，所述超薄晶片在真空吸盘的作用下静止不动，从而实现超薄晶片和挡片的分离。

优选的，上述方法中，将粘贴在一起的超薄晶片和挡片进行分离，之后还包括：

将分离后的超薄晶片和挡片分别进行清洗。

优选的，上述方法中，所述预设厚度为625μm。