[发明专利]基于氮化物的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

外延生长层，设置在所述基底上，并且在其内部产生二维电子气；以及

电极结构，设置在所述外延生长层上，

其中，所述电极结构包括：

栅极；

源极，设置在所述栅极的一侧；以及

漏极，设置在所述栅极的另一侧，并具有延伸至所述外延

生长层的内部以接触所述二维电子气的延伸部。

2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述漏极是与所述外延生长层形成肖特基接触的肖特基电极。

3.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，

所述栅极包括与所述外延生长层形成肖特基接触的肖特基电极，以及

所述源极包括与所述外延生长层形成欧姆接触的欧姆电极。

4.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部具有岛形截面。

5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部被形成为具有栅格图案。

6.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部具有环形截面。

7.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述基底 至少包括硅基板、碳化硅基板以及蓝宝石基板中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述外延生长层包括：

使用所述基底作为籽晶层而生长的下部氮化物层；以及

使用所述下部氮化物层作为籽晶层而生长的并具有比所述下部氮化物层的能量带隙更宽的能量带隙的上部氮化物层。

9.一种用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，包括：

制备基底；

在所述基底上形成外延生长层，所述外延生长层在其内部产生二维电子气；以及

在所述外延生长层上形成电极结构，

其中，形成所述电极结构包括：

形成栅极；

在所述栅极的一侧上形成源极；以及

在所述栅极的另一侧上形成漏极，所述漏极具有延伸至所述外延生长层的内部以接触所述二维电子气的延伸部。

10.根据权利要求9所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，

其中，形成所述漏极包括：

在所述外延生长层的漏极形成区域中形成暴露所述二维电子气的凹陷部；以及

形成填充所述凹陷部的金属层以形成与所述外延生长层形成肖特基接触的肖特基电极。

11.根据权利要求10所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，通过执行用于在所述基于氮化物的半导体器件之间进行分离的台面工艺来进行所述凹陷部的形成。

12.根据权利要求9所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，所述基底的制备包括至少制备硅基板、碳化硅基板以及蓝宝石基板中的任意一种。

13.根据权利要求9所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，形成所述外延生长层包括：

通过使用所述基底作为籽晶层在所述基底上执行外延生长处理来生长下部氮化物层；以及

使用所述下部氮化物层作为籽晶层在所述下部氮化物层上生长上部氮化物层，所述上部氮化物层具有比所述下部氮化物层更宽的能量带隙。