[发明专利]立体结构的磁隧道结的形成方法及形成设备

权利要求书

1.一种立体结构的磁隧道结的形成设备，包括：用于形成隧道绝缘材料层的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：

镀膜室，所述镀膜室一腔室壁上具有至少一个开孔；

位于所述镀膜室内的第一加热器，所述第一加热器位于所述开孔位置的正下方；

位于所述镀膜室上的第二加热器；

子反应腔，所述子反应腔位于所述第二加热器表面，且与所述开孔相连，用于向镀膜室提供固态的第一反应物。

2.如权利要求1所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述第二加热器位于所述镀膜室的上方，所述第二加热器具有第一通孔，且所述第一通孔的位置与所述开孔的位置相对应。

3.如权利要求1或2所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：第一供气单元，所述第一供气单元与所述开孔相连，用于提供气态的第二反应物。

4.如权利要求3所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：第一等离子腔室，所述第一等离子腔室位于所述第二加热器表面、且一端与所述子反应腔相连，另一端与所述镀膜室的开孔相连；和/或第二等离子腔室，所述第二等离子腔室的一端与第一供气单元相连，另一端与所述镀膜室的开孔相连。

5.如权利要求3所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：第二供气单元，所述第二供气单元的一端与所述子反应腔相连；另一端直接与所述镀膜室的开孔相连。

6.如权利要求5所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：多个气体流量控制器，分别用于连接所述第二供气单元和所述镀膜室的开孔上的气管；连接第二供气单元和子反应腔上的气管；连接第一供气单元和所述镀膜室的开孔上的气管。

7.如权利要求2所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：分布盘，所述分布盘位于所述镀膜室内、且位于所述第一加热器和第二加热器之间，所述分布盘上具有多个第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述镀膜室的开孔的直径。

8.如权利要求7所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述分布盘到第二加热器之间的距离为50mm。

9.如权利要求1所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述开孔的个数为1-3个。

10.一种立体结构的磁隧道结的形成方法，包括：

向子反应腔内提供固态的第一反应物；

经过镀膜室外的第二加热器加热，使所述第一子反应物由固态变成气态；

气态的第一反应物通过镀膜室一腔室壁上的开孔进入镀膜室内；

气态的第一反应物和通入所述镀膜室的气态的第二反应物在镀膜室内混合均匀；

第一加热器加热使气态的第一反应物和气态的第二反应物反应生成MgO薄膜沉积于晶圆表面。

11.如权利要求10所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述气态的第二反应物通过与所述开孔相连的第一供气单元进入镀膜室内。

12.如权利要求10所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述第一反应物为Mg(thd)₂，所述第二反应物为氧气或臭氧。

13.如权利要求12所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述Mg(thd)₂的质量为400-600g；所述氧气或臭氧的流量为200-300sccm。

14.如权利要求12所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述Mg(thd)₂的质量为500g，氧气的流量为300sccm。

15.如权利要求12所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述Mg(thd)₂变为气态的条件为：温度大于等于200℃。

16.如权利要求11所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，在气态的第一反应物和/或第二反应物进入镀膜室之前，先对所述气态的第一反应物和/或第二反应物等离子体化。