[发明专利]存储器装置及其负位线信号产生装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器装置，且特别涉及一种存储器装置的负位线信号产生装置。

背景技术

随着电子技术的精进，电子产品成为人们日常生活中必备的工具。而在电子产品用来记录信息的存储器装置，也成为其中的一个重要的部分。

以静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)为范例，在电子装置所接收的操作电压越来越低，存取速度的要求越来越快的情况下，在针对静态随机存取存储器进行存取时，为提升其位线(bit line)以及字线(word line)间的电压差，一种使负位线信号降低至零电压电平以下的负位线信号的技术于是被提出。

已知的负位线信号产生技术常发生在高操作电压时，会对应产生具有较大电压绝对值的负位线信号。如此一来，会使得接收位线信号以及字线信号的晶体管的栅源极间的电压差过大。在长时间的使用下，这个晶体管可能发生损毁而产生漏电或无法正常工作的现象。也造成了静态随机存取存储器的可靠度下降的现象。

发明内容

本发明提供一种负位线信号产生装置，在不同大小的操作电压的条件下，提供稳定的电压电平的负位线信号。

本发明提供一种存储器装置，其所属的负位线信号产生装置，可在不同大小的操作电压的条件下，提供稳定的电压电平的负位线信号。

本发明提出一种负位线信号产生装置，包括预充电通道、放电通道以及电容。预充电通道耦接至操作电压以及负推动端点间，受控于电压推动致能信号以在第一时间区间对负推动端点进行充电。放电通道则耦接在负推动端点以及参考电压间，依据电压推动致能信号以及电压推动终止信号以在第二时间区间提供负推动端点放电路径。电容的一端耦接至负推动端点，其另一端耦接至位线以产生负位线信号。其中，第一时间区间与第二时间区间不相重叠，操作电压大于参考电压，且第二时间区间的时间长短与操作电压的大小成反比(The time scale of the second time period is in inverse proportion to the voltage level of the operating voltage)。

本发明另提出一种存储器装置，存储器装置具有多条位线，并包括多个负位线信号产生装置，其中各负位线信号产生装置则包括预充电通道、放电通道以及电容。预充电通道耦接至操作电压以及负推动端点间，受控于电压推动致能信号以在第一时间区间对负推动端点进行充电。放电通道则耦接在负推动端点以及参考电压间，依据电压推动致能信号以及电压推动终止信号以在第二时间区间提供负推动端点放电路径。电容的一端耦接至负推动端点，其另一端耦接至对应连接的位线以产生负位线信号。其中，第一时间区间与第二时间区间不相重叠，操作电压大于参考电压，且第二时间区间的时间长短与操作电压的大小成反比。

基于上述，本发明通过负位线信号产生装置中，放电通道依据电压推动终止信号来改变其所提供的电阻值，使在不同大小的操作电压的状况下，可以使其所产生的负位线信号的电压电平不致有大幅度的变动。如此一来，在高操作电压下造成的过低的负位线信号的现象将可以被避免，也就是说，因过低的负位线信号所产生的电子元件的破坏现象也将可有效的消除，提升存储器装置的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1绘示本发明的一实施例的负位线信号产生装置100的示意图。

图2绘示图1的负位线信号产生装置100的波形图。

图3绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置300的示意图。

图4A绘示本发明再一实施例的负位线信号产生装置400的示意图。

图4B绘示本发明实施例的负位线信号产生装置400的另一实施方式。

图5绘示本发明更一实施例的负位线信号产生装置500的示意图。

图6绘示本发明一实施例的存储器装置600的示意图。

【主要元件符号说明】

100、300、400、500、610～61N：负位线信号产生装置

110、310、410、510：预充电通道

120、320、420、520：放电通道

330、430、530：电压推动终止信号产生电路

331、431、531：控制信号产生电路

600：存储器装置

601～60M：存储单元

C1、C2、C_bst：电容