[发明专利]一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法

权利要求书

1.一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，其特征在于所述的方法包括下列步骤：将纳米二氧化钛粉末放置在磁控溅射仪基底上，基底材料为阳极，溅射靶为阴极，使靶材与纳米二氧化钛粉末间保持适当距离，调节溅射室内的压力、射频电源的功率，使靶面单位面积功率保持稳定，使工作气体起辉，磁控溅射一定时间，得到低光催化活性的纳米二氧化钛粉末。

2.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，其特征在于所述的纳米二氧化钛是指粒径尺度介于0.1nm至100nm的二氧化钛粉末或含有纳米二氧化钛粉末的混合物。

3.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化效率的方法，其特征在于用钢靶、黄铜靶、铜靶作为溅射靶材。

4.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，其特征在于所述的靶材与纳米二氧化钛粉末间的距离介于1cm至15cm。

5.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，其特征在于工作气体为氮气体积比介于60-80％、氧气体积比介于20-40％的混合气体，优选空气。

6.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化效率的方法，其特征在于溅射时间介于介于1分钟至5分钟。

7.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化效率的方法，其特征在于磁控溅射室内压力介于介于1Pa至50Pa。

8.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化效率的方法，其特征在于溅射过程中使用的电源为频率为13.56MHz的射频电源。

9.根据权利要求1所述的降低纳米二氧化钛光催化效率的方法，其特征在于溅射过程中靶面单位面积功率介于0.1W/cm²至25W/cm²。