[发明专利]聚合物、化学增幅负抗蚀剂组合物和图案形成方法

权利要求书

1.聚合物，其包含至少一种选自由通式(1)和(2)表示的侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的重复单元，

其中，A是氢、氟、甲基或三氟甲基，R¹是氢或单价的直链、支链或环状C₁-C₆烃基，R²彼此独立地是可以含有氧或卤素的单价的直链、支链或环状C₁-C₆烃基，a是0到4的整数，且p是0到2的整数。

2.根据权利要求1所述的聚合物，进一步包含具有通式(3)的重复单元：

其中，A如上述所定义，Q是单键、亚甲基基团或者可以在链中间含有醚键的C₂-C₁₀亚烷基基团，R³彼此独立地是直链、支链或环状的C₁-C₆烷基，b是0到4的整数，c是1到5的整数，r是0或1，且q是0到2的整数。

3.根据权利要求1所述的聚合物，进一步包含至少一种选自由通式(4)和(5)表示的重复单元：

其中，R⁴彼此独立地是羟基，卤素，任选卤素取代的直链、支链或环状C₂-C₈酰氧基，任选卤素取代的直链、支链或环状的C₁-C₆烷基，或者任选卤素取代的直链、支链或环状的C₁-C₆烷氧基，且d是0到4的整数。

4.根据权利要求1所述的聚合物，进一步包含具有通式(6)的重复单元：

其中，A和Q如上述定义，R⁵是卤素，任选卤素取代的单价C₁-C₂₀烃或烃氧基基团，或单价C₂-C₁₅烃-羰基氧基基团，t是0或1，s是0到2的整数，且e是0到5的整数。

5.化学增幅负抗蚀剂组合物，其包含权利要求1所述的聚合物作为基础聚合物。

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂组合物，进一步包含不含由通式(1)和(2)表示的重复单元的聚合物作为基础聚合物。

7.根据权利要求6所述的抗蚀剂组合物，其中所述不含由通式(1)和(2)表示的重复单元的聚合物是包含至少一种选自通式(3)到(6)表示的重复单元的重复单元的聚合物。

8.化学增幅负抗蚀剂组合物，其包含权利要求1所述的聚合物作为交联剂。

9.形成图案的方法，包含步骤：

将权利要求5所述的化学增幅负抗蚀剂组合物施加到可加工基材上以形成抗蚀剂膜，

将所述抗蚀剂膜以图案方式暴露于高能射线，

将所述曝光的抗蚀剂膜用碱性显影液显影。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述可加工的基材是光掩模基板。