[发明专利]刻蚀控制方法无效
| 申请号： | 201110315498.7 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050421A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 控制 方法 | ||
1.一种刻蚀控制方法，其特征在于，包括：
成膜工艺，在晶圆上形成制造器件结构的膜层；
刻蚀工艺，刻蚀所述膜层以形成器件结构；
其中，所述刻蚀工艺通过APC工艺进行控制，所述APC工艺使用神经网络模型。
2.如权利要求1所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述APC工艺的输出为压缩数据，通过所述压缩数据可得到晶圆上多个点的特征尺寸。
3.如权利要求2所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述压缩数据为PCA压缩数据或小波压缩数据。
4.如权利要求2所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述压缩数据的数量小于等于4个。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述神经网络的训练参数为DOE数据。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的刻蚀控制方法，其特征在于，利用前馈控制或者反馈控制对所述APC工艺进行调整。
7.如权利要求6所述的刻蚀控制方法，其特征在于，在一片或者多片晶圆完成刻蚀工艺之后对所述APC工艺进行调整。
8.如权利要求6所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述前馈控制的控制参数包括成膜工艺的工艺结果。
9.如权利要求8所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述成膜工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、化学机械研磨工艺及光刻工艺中的一种或者多种。
10.如权利要求6所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述反馈控制的控制参数包括刻蚀工艺的工艺参数和/或刻蚀工艺的工艺结果。
11.如权利要求10所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体的流量、刻蚀气体的速率、功率、工艺腔室的压力中的一种或者多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
