[发明专利]晶片搬送机构

说明书

技术领域

本发明涉及保持并搬送半导体晶片等晶片的晶片搬送机构。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在半导体晶片的表面，由称作间隔道的多条分割预定线划分出了各区域，在该各区域形成半导体器件。半导体晶片在借助磨削装置磨削背面而被加工至预定的厚度后，通过利用切割装置沿间隔道进行切削而被分割为一个个的器件，从而制造出IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scale integration：大规模集成电路)等半导体器件。

磨削装置大致由以下部分形成：卡盘工作台，其保持晶片；磨削构件，其对保持于卡盘工作台的晶片进行磨削；晶片搬送机构，其将磨削后的晶片从卡盘工作台搬出；以及旋转清洗单元，其对搬出的晶片的磨削面进行清洗，该磨削装置能够将晶片加工至预期的厚度(例如，参照日本特开2003-300155号公报)。

关于磨削晶片的背面的磨削装置，要求将晶片磨削得较薄并且在磨削后的晶片的磨削面不附着细微的磨削屑。此外，存在着以磨削装置磨削晶片的背面、然后在晶片的背面形成副器件(sub device)(再布线层)的情况，在该情况下，必须使附着于晶片的背面的磨削屑等污物低于基准值。

以往，一般来说，在将磨削完的晶片从卡盘工作台搬出时，以安装在能够转动的臂部的末端的真空吸引式的吸附盘来吸引晶片，将晶片从卡盘工作台搬送至清洗单元。

专利文献1：日本特开2003-300155号公报。

然而，在使用吸附盘的晶片搬送装置中，为了清洗磨削面而将刚磨削完的晶片搬送至清洗单元，但是由于晶片搬送机构的吸附盘的吸引，晶片的背面干燥，超过基准值的污物附着在晶片的背面，存在着即使以清洗单元进行清洗也难以除去磨削屑等污物的问题。

发明内容

本发明正是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种晶片搬送机构，其不会污染磨削后的晶片的磨削面且不会有磨削屑附着于磨削面。

根据本发明，提供一种晶片搬送机构，其为保持并搬送晶片的晶片搬送机构，其特征在于，所述晶片搬送机构具备臂部和保持盘，所述保持盘经由弹性支承构件支承在所述臂部的末端，用于吸引保持晶片，所述保持盘包括：环状的吸引保持部，所述环状的吸引保持部吸引保持晶片的外周；凹部，所述凹部被所述环状的吸引保持部围绕，并且在该凹部与所吸引保持的晶片之间形成空间；液体供给部，所述液体供给部向所述凹部供给液体；以及排出部，所述排出部形成于所述环状的吸引保持部，用于从所述凹部将液体排出。

根据本发明的晶片搬送机构，由于利用环状的吸引保持部保持磨削后的晶片的外周部，因此不仅与晶片磨削面接触的部分较少，而且在晶片磨削面一直充满水层的同时将晶片从卡盘工作台搬送至清洗单元，因此磨削面不会干燥，能够防止超过基准值的污物的附着。

附图说明

图1是半导体晶片的表面侧立体图。

图2是在表面粘贴有保护带的状态的半导体晶片的背面侧立体图。

图3是具备本发明的晶片搬送机构的磨削装置的立体图。

图4是本发明实施方式涉及的晶片搬送机构的立体图。

图5是晶片搬送机构的主要部分剖视图。

图6是保持盘的背面侧立体图。

图7是示出从排出部排出水的状态的保持盘部分的立体图。

标号说明

2：磨削装置；

10：粗磨削单元；

11：半导体晶片；

23：保护带；

28：精磨削单元；

44：转台；

46：卡盘工作台；

62：晶片搬送机构(晶片搬出机构)；

64：旋转清洗单元；

76：保持盘；

82：环状的吸引保持部；

84：圆形凹部；

86：吸引孔；

94：排出部；

96：供给孔。

具体实施方式

下面，参照附图详细地说明本发明实施方式的晶片搬送机构。图1是加工至预定的厚度前的半导体晶片11的立体图。图1所示的半导体晶片11由例如厚度为700μm的硅晶片构成，在表面11a呈格子状地形成有多条间隔道(分割预定线)13，并且在由所述多条间隔道13划分出的多个区域形成了IC、LSI等器件15。

如此构成的半导体晶片11具备：形成有器件15的器件区域17；和围绕器件区域17的外周剩余区域19。此外，在半导体晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的结晶方位的标记的切口21。