[发明专利]积层式滤波器制程无效
申请号: | 201110313198.5 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN103050762A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 黄其集 | 申请(专利权)人: | 钰铠科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;秦小耕 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 积层式 滤波器 | ||
技术领域
本发明涉及一种滤波器制程,特别是涉及一种积层式滤波器制程。
背景技术
在中国台湾成功大学的硕士论文「利用复合材料实现小型化半集总式低温陶瓷共烧滤波器」中提到了一种LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)制程。此种制程是在陶瓷玻璃内加入其他材料,并于多层叠压后形成一个三度空间的结构体,此种结构体即可作为元件或基板使用。此种制程主要的步骤是先在多个陶瓷生胚上进行填孔布线的动作成为陶瓷基板,接着再将所述陶瓷基板予以对准及堆叠,最后进行切割、共烧、后段制程完成成品。然而,此种制程却有着下列的缺点:
在对准及堆叠的过程中,必需要非常精密调整所述陶瓷基板的位置,否则将会导致所述陶瓷基板无法精准彼此导通。由于此种制程要求相当高的精密度,造成了在应用此制程上的困难度,大幅增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种易于制备的积层式滤波器制程。
本发明积层式滤波器制程,包含下列步骤:(A)制备一个下基板,(B)于该下基板上制备一个第一下导电层单元,该第一下导电层单元具有一个第一下绝缘层及多个设置于该第一下绝缘层上的第一下导线段,(C)于该第一下导电层单元上制备一个第二下导电层单元,该第二下导电层单元具有一个第二下绝缘层、多个设置于该第二下绝缘层上的第二下导线段,及多个设置于该第二下绝缘层上的第一中导线段,该第一下导电层单元的第一中导线段的制造流程是先将一个绝缘材料挖开多个穿孔,接着将多个导电材料设置于所述穿孔内,该绝缘材料及所述导电材料分别形成该第二下绝缘层及所述第一中导线段,所述第一中导线段与所述第一下导线段电连接,(D)依序制备多个相叠并位于该第二下导电层单元上方的中导电层单元,每一个中导电层单元具有一个中绝缘层、多个设置于该中绝缘层上的第一中导线段、多个设置于该中绝缘层上的第二中导线段,及一个铁心部,该中导电层单元的制造流程是先将一个绝缘材料挖开多个穿孔,接着将多个导电材料设置于所述穿孔内,该绝缘材料及所述导电材料分别形成该中绝缘层及所述第一中导线段、第二中导线段,所述中导电层单元的第一中导线段、第二中导线段彼此沿纵方向电连接形成多个沿纵方向延伸的第一中导线、第二中导线,所述铁心部彼此沿纵方向电连接形成一个铁心块,所述第一中导线、第二中导线分别与所述第一下导线段、第二下导线段电连接,(E)在所述中导电层单元最上方的一个上制备一个第一上导电层单元,该第一上导电层单元具有一个第一上绝缘层、多个设置于该第一上绝缘层的第一上导线段,及多个设置于该第一上绝缘层上的第二中导线段,所述第一上导线段分别与所述第一中导线电连接,(F)在该第一上导电层单元上制备一个第二上导电层单元,该第二上导电层单元具有一个第二上绝缘层及多个设置于该第二上绝缘层的第二上导线段,所述第二上导线段分别与所述第二中导线电连接,(G)在该第二上导电层单元上制备一个上基板,该上基板、该下基板、该第一上导电层单元、该第二上导电层单元、所述中导电层单元、该第一下导电层单元及该第二下导电层单元组成一个待加工的单体,(H)在该单体上烧结四个导电端,使所述导电端分别与该单体的第一下导线段、第二下导线段电连接。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(B)、(C)、(D)、(E),及(F)中,以印刷方式制备该第一下导电层单元、第二下导电层单元、所述中导电层单元、该第一上导电层单元,及该第二上导电层单元的各导线段。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(G)后,还有一个步骤(G1),在该步骤(G1)中,对该单体烧结使该单体结晶化。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(B)、(C)、(D)、(E),及(F)中,该印刷方式为网版印刷。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(G)中,所述第一上导线段、所述第一中导线、所述第一下导线段构成绕该铁心块的一个第一回路,所述第二上导线段、所述第二中导线、所述第二下导线段构成绕该铁心块且与该第一回路交错的第二回路。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(H)后,还有一个步骤(I),在该步骤(I)中,以一个金属对所述导电端进行电镀。
本发明所述积层式滤波器制程,在该步骤(B)、(C)、(D)、(E),及(F)中,该第一下绝缘层、第二下绝缘层、中绝缘层、第一上绝缘层及第二上绝缘层是以陶瓷生胚制成,所述第一下导线段、第二下导线段、第一中导线、第二中导线、第一上导线段、第二上导线段及所述导电端是以银制成,该绝缘材料是陶瓷生胚,所述导电材料是银。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰铠科技股份有限公司,未经钰铠科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110313198.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。