[发明专利]TVS二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种TVS二极管的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S₁、提供一N+/N-外延衬底，其中该N+/N-外延衬底包括N+型衬底和位于该N+型衬底表面上的N-外延层；

S₂、在该N-外延层的表面中形成P+掺杂区域；

S₃、在该N-外延层的表面形成钝化层；

S₄、在该N+/N-外延衬底的背面淀积金属金层形成阴电极；

S₅、进行金属金的热扩散，使金属金层中的金属金从该N+/N-外延衬底的底部渗入至该N+/N-外延衬底的内部，并扩散到由该P+掺杂区域以及该N-外延层所形成的PN结的周围，以在该N+/N-外延衬底的内部形成金的替位掺杂区域；

S₆、在该N-外延层的表面形成阳电极，其中该阳电极形成于该N-外延层的表面上与该P+掺杂区域相对应的位置，

其中，所述的N型替换为P型时，P同时替换为N。

2.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₁中提供的该N+型衬底的厚度为650-750μm，和/或该N+型衬底的掺杂浓度为1.32E17-5.63E17/cm³，和/或该N-外延层的厚度为2-5um，和/或该N-外延层的掺杂浓度为8.9E14-4.8E15/cm³。

3.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S2还包括以下步骤：

S₂₁、在该N-外延层的表面上形成第一掩膜，其中未被该第一掩膜覆盖的区域为第一开放区域；

S₂₂、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该第一开放区域注入至该N-外延层中；

S₂₃、去除该第一掩膜，并对步骤S₂₂中的离子注入区域进行热处理，激活并推进该P型离子以形成该P+掺杂区域。

4.如权利要求3所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，其中，

步骤S₂₁中通过光刻方式形成该第一掩膜，其中该第一掩膜为厚度为2-3um的光刻胶，和/或，

步骤S₂₂中该P型离子被加速至60Kev-120Kev，其中该P型离子的掺杂剂量为1E15-1E16/cm²，和/或，

步骤S₂₃中热处理的温度为1100-1200℃，热处理时间为60-120分钟。

5.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₃中通过CVD方式形成厚度为3-5um的钝化层，其中该钝化层为二氧化硅薄膜。

6.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₃之后、步骤S₄之前还包括以下步骤：

S_P、通过机械减薄将该N+型衬底的厚度减薄至250-300um。

7.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₄中淀积的金属金层的厚度为

8.如权利要求1所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₅中金属金的热扩散温度为750-1000℃。

9.如权利要求1-8中任意一项所述的TVS二极管的制作方法，其特征在于，步骤S₆还包括以下步骤：

S₆₁、在与该P+掺杂区域相对应的该钝化层中形成接触孔；

S₆₂、在该接触孔中淀积金属铝或者铝硅铜合金；

S₆₃、刻蚀该金属铝或者铝硅铜合金以形成该阳电极。