[发明专利]一种DMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110312583.8 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050405A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在生成了N型硅半导体衬底、N型硅半导体外延层、栅氧化层及多晶硅层之后，在多晶硅层上生长第一介质层，通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，露出栅氧化层；
通过所述凹槽将P型体区注入N型硅半导体外延层，并对P型体区进行驱入；
通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，包括：
通过光刻，在第一介质层上确定需要形成的凹槽的区域；
采用含氟的气体对所述区域的第一介质层进行刻蚀，使得第一介质层上形成凹槽，露出多晶硅层；
采用含氯的气体对露出的多晶硅层进行刻蚀，使得多晶硅层上形成凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中之后，该方法还包括：
生长氮化硅层，该氮化硅层在所述凹槽的多晶硅层和第一介质层的侧壁形成第一侧墙；
通过形成有第一侧墙的凹槽，注入深体区。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度，为氮化硅层的厚度；
所述第一侧墙的高度，为第一介质层的厚度、多晶硅层的厚度以及氮化硅层的厚度的总和。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，注入深体区之后，该方法还包括：
积淀第二介质层，该第二介质层在凹槽的第一侧墙上形成第二侧墙；
对第二介质层进行刻蚀，保留在凹槽的第一侧墙上形成的第二侧墙；
通过形成有第二侧墙的凹槽，在N型源区中注入P型重掺杂，形成P型重掺杂区；
将所述第二侧墙腐蚀掉。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述P型重掺杂的浓度，大于N型源区中的N型源的浓度。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述第二侧墙腐蚀掉之后，该方法还包括：
对氮化硅层进行刻蚀，保留所述第一侧墙，露出N型源区和P型重掺杂区。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，露出N型源区和P型重掺杂区之后，该方法还包括：
生长第一金属层，使得DMOS器件的源极和栅极的电性链接；
通过生长第二金属层，形成DMOS器件的漏极。
9.根据权利要求1-8任一权项所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为
10.一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件，其特征在于，该DMOS器件采用权利要求1-9任一权项所述方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
