[发明专利]用于开关调节器的低电源噪声功率级设备

权利要求书

1.一种设备，包含：

第一开关，被配置为耦接至电源，并且被配置为响应于控制信号的边沿而切换；

延迟电路，被配置为产生延迟信号，所述延迟信号具有与所述控制信号的边沿对应的边沿，所述延迟信号的边沿偏离所述控制信号的边沿；以及

第二开关，被配置为与所述第一开关并联地耦接至所述电源，并且被配置为响应于所述延迟信号的边沿而切换，所述第二开关具有比所述第一开关的尺寸小的尺寸。

2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括开关输出节点，所述第一开关和所述第二开关被并联耦接至所述开关输出节点，所述第一开关和所述第二开关被配置为共同抑制由所述第一开关或所述第二开关至少其中之一与所述电源之间的寄生电感引起的电压过冲。

3.根据权利要求1所述的设备，所述第一开关和所述第二开关共同限定比一单个开关的切换时间周期长的切换时间周期，所述单个开关的尺寸等于所述第一开关的尺寸加上所述第二开关的尺寸。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关被配置为在切换时间周期期间从第一状态切换为第二状态，所述第二开关被配置为在所述切换时间周期期间，响应于所述延迟信号的边沿而开始切换。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关被配置为在切换时间周期期间从第一状态变为第二状态，所述延迟信号从所述输入信号的边沿偏离一短于所述切换时间周期的持续时间。

6.根据权利要求1所述的设备，进一步包括开关输出节点，所述第一开关和所述第二开关被并联耦接至所述开关输出节点，

所述开关输出节点的开关输出信号被配置为在以下时间周期期间在第一状态和第二状态之间变换，所述时间周期在所述第一开关开始切换时开始，在所述第二开关完成切换时结束。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关为p沟道MOSFET装置，所述第二开关为p沟道MOSFET装置，所述控制信号的边沿为上升沿，所述延迟信号的边沿为上升沿。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关的尺寸为所述第一开关的栅极宽度，所述第二开关的尺寸为所述第二开关的栅极宽度，所述第二开关的栅极宽度比所述第一开关的栅极宽度小超过十倍。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关为第一p沟道MOSFET装置，所述第二开关为第二p沟道MOSFET装置，所述设备进一步包括：

n沟道MOSFET装置，其起下拉装置的作用，具有耦接至所述第一p沟道MOSFET装置的漏极和第二p沟道MOSFET装置的漏极的漏极。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一开关、所述延迟电路、以及所述第二开关限定开关调节器内的开关装置的至少一部分。

11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述延迟电路为第一延迟电路，所述控制信号的边沿为所述控制信号的上升沿，所述延迟信号为第一延迟信号，

所述设备进一步包括：

开关输出节点，所述第一开关和所述第二开关被并联耦接至所述开关输出节点，

第一n沟道MOSFET装置，被配置为耦接至地线，并且被配置为响应于所述控制信号的下降沿而切换；

第二延迟电路，被配置为产生第二延迟信号，所述第二延迟信号具有与所述控制信号的下降沿对应的边沿，所述第二延迟信号的边沿偏离所述控制信号的下降沿；以及

第二n沟道MOSFET装置，被配置为与所述第一n沟道MOSFET装置并联地耦接至地线，并且被配置为响应于所述第二延迟信号的边沿而切换。

12.一种方法，包括：

开始第一开关的切换时间周期；

在所述第一开关的切换时间周期期间，开始第二开关的切换时间周期，所述第二开关的切换时间周期偏离所述第一开关的切换时间周期期间并且与所述第一开关的切换时间周期交叠；

在所述第一开关和第二开关处从电源接收功率信号；以及

在所述第一开关的切换时间周期的开始时间开始，基于所述功率信号，并基于所述第一开关的切换时间周期与所述第二开关的切换时间周期的组合，产生开关输出信号。