[发明专利]一种低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器及其制备方法

权利要求书

1.一种低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，包括基底(2)，其特征是，所述基底(2)上设有隔离膜(3)，该隔离膜(3)上设有发火元件(4)，在发火元件(4)设有发火器引线焊盘区(5A，5B)；所述发火元件(4)的材料为Ni-Cr合金。

2.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，该发火器引线焊盘区(5A，5B)通过引线(8)与一用于安装所述点火器(1)的基座(7)上的引线焊盘区(6)相连。

3.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，所述基底(2)的材料选自FR-4、聚酰亚胺、Al₂O₃中的至少一种，基底(2)直径为50mm～100mm，厚度0.5mm～1mm。

4.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，所述发火器引线焊盘区(5A，5B)的材料选自铝、铜、金、银中的至少一种，发火器引线焊盘区(5A，5B)的厚度0.1μm～1μm。

5.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，所述发火元件(4)的厚度2×10^-7m～5×10^-6m。

6.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，所述发火元件(4)中Ni和Cr比例为80∶20。

7.根据权利要求1所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器，其特征是，所述隔离膜(3)的材料为SiO₂，厚度为0.5μm～1μm。

8.一种如权利要求1～7之一所述低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器(1)的制备方法，其特征是：其包括如下步骤：

1)、对基底(2)进行清洗，去除基底(2)表面油污及杂质；

2)、在基底(2)上淀积隔离膜(3)，在隔离膜(3)上淀积Ni-Cr合金薄膜；

3)、在所述Ni-Cr合金薄膜上制备出光刻胶掩膜层，以光刻胶作掩膜材料刻蚀出发火元件(4)，刻蚀深度为Ni-Cr合金薄膜的厚度；

4)、在发火元件(4)层上制备出光刻胶掩膜层，利用物理气相淀积技术淀积发火器引线焊盘区(5A，5B)；

5)、采用切片机进行切片，制得Ni-Cr合金薄膜桥点火器(1)。

9.根据权利要求8所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器(1)的制备方法，其特征是：所述步骤3)中，在所述Ni-Cr合金薄膜上利用光刻工艺制备出发火元件(4)形状的光刻胶掩膜层，利用干法刻蚀技术将Ni-Cr合金薄膜刻蚀成发火元件(4)。

10.根据权利要求8所述的低发火电压的Ni-Cr合金薄膜桥点火器(1)的制备方法，其特征是：所述步骤4)中，在发火元件(4)层上利用光刻工艺制备出发火器引线焊盘区(5A，5B)形状的光刻胶掩膜层，利用物理气相淀积技术淀积发火器引线焊盘区(5A，5B)。