[发明专利]IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法有效
| 申请号： | 201110310520.9 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050397A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张帅;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 器件 背面 外延 阻挡 工艺 实现 方法 | ||
1.一种IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据IGBT不同应用电压的范围不同，将区溶单晶衬底减薄至不同的厚度；
然后在减薄后的区溶单晶衬底上用外延工艺生在不同浓度及厚度的场截止层。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，把区溶单晶的衬底减薄至从100微米到600微米范围。
3.根据权利要求1所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，用背面研削工艺快速减薄从110微米至610微米范围。
4.根据权利要求1所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，用背面化学药液继续腐蚀10微米以保证，衬底光滑。
5.根据权利要求2所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，在背面用外延工艺生长不同厚度的场截止层，厚度范围在2微米和20微米之间。
6.根据权利要求2所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，外延掺杂的浓度从每立方厘米13次方个到每立方16次方个。
7.根据权利要求2所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，外延成长的工艺温度范围控制在950度到1100度之间。
8.根据权利要求2所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，外延成长的压力在10-100毫托之间。
9.根据权利要求1所述的IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，
其特征在于，外延掺杂的浓度可以根据成长的厚度，逐渐增加掺杂的浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
