[发明专利]联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，包含

导电的引线框架(100)，其设置有载片基座(110)；

低端芯片(200)和高端芯片(300)，其各自设置有顶部源极、顶部栅极和底部漏极；其中所述高端芯片(300)的顶部源极上植设有若干导电的源极焊球(311)，顶部栅极上植设有若干导电的栅极焊球(312)；

所述低端芯片(200)的背面固定连接至引线框架(100)的正面，并且使该低端芯片(200)的底部漏极电性连接在载片基座(110)的顶面；所述高端芯片(300)的正面固定连接至引线框架(100)的背面，并且使该高端芯片(300)的顶部源极通过所述若干源极焊球(311)电性连接至载片基座(110)的底面；

所述半导体器件还包含封装体(400)，将依次堆叠布置的低端芯片(200)、引线框架(100)的载片基座(110)、高端芯片(300)塑封在所述封装体(400)中，而使所述高端芯片(300)的背面暴露在所述半导体器件背面的封装体(400)以外来进行散热。

2.如权利要求1所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述引线框架(100)还包含与所述载片基座(110)分隔开且无电性连接的第一、第二、第三引脚(121、122、123)，以及与所述载片基座(110)电性连接的第四引脚(124)。

3.如权利要求2所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述低端芯片(200)的底部漏极与所述高端芯片(300)的顶部源极，分别连接在载片基座(110)的两面，从而一起通过所述第四引脚(124)与外部器件进行电性连接。

4.如权利要求2所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述高端芯片(300)的顶部栅极通过若干栅极焊球(312)，电性连接至所述第三引脚(123)。

5.如权利要求1所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

在所述高端芯片(300)的背面覆盖有一散热件；器件封装后，所述散热件暴露在器件背面的封装体(400)以外；所述高端芯片(300)的底部漏极通过所述暴露的散热件与外部器件电性连接。

6.如权利要求5所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述散热件是在所述高端芯片(300)背面，通过蒸发溅射形成的具有一定厚度的金属层(320)。

7.如权利要求5所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述散热件是在所述高端芯片(300)背面粘贴的一个导电的金属贴片(320’)。

8.如权利要求2所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述低端芯片(200)的顶部源极，通过设置的一个金属连接片(230)，电性连接至所述第一引脚(121)；所述低端芯片(200)的顶部栅极，通过设置的另一个金属连接片(230)，电性连接至所述第二引脚(122)。

9.如权利要求8所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述金属连接片(230)与所述低端芯片(200)之间，所述金属连接片(230)与所述第一引脚(121)、第二引脚(122)之间，分别设置有使其对应粘贴并电性连接的高温合金(220)。

10.如权利要求1所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

在所述低端芯片(200)与所述引线框架(100)的载片基座(110)之间，设置有使两者相互粘贴并电性连接的高温合金(220)。

11.如权利要求1所述联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，

所述高端芯片(300)的顶部源极、顶部栅极上，对应植设的若干焊球分别是由低温合金制成。