[发明专利]二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法

权利要求书

1.一种二元光掩模坯料，其包含透明衬底和其上的遮光膜，该遮光膜具有2.5-3.5的光密度，其中

所述遮光膜包括与衬底邻接设置的衬底侧的组成渐变层，和远离衬底设置的表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属以及氮和/或氧的硅基材料构成，

所述衬底侧的组成渐变层是具有10-58.5nm厚度的层，其中氮和氧的总含量在厚度方向上向着衬底增加，

所述衬底侧的组成渐变层包括其组成在厚度方向上连续变化的层，各自具有一致组成的至少三个层的组合，具有一致组成的层和其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，或者其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，

构成所述衬底侧的组成渐变层的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含过渡金属和硅，在所述衬底侧的组成渐变层中的氮和氧的总含量在与衬底邻接的表面处为25-40原子％，而在远离衬底的表面处为10-23原子％，

所述表面侧的组成渐变层是具有1.5-8nm厚度的层，其中氮和氧的总含量在厚度方向上向着衬底减少，

所述表面侧的组成渐变层包含其组成在厚度方向上连续变化的层，各自具有一致组成的至少两个层的组合，具有一致组成的层和其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，或者其组成在厚度方向上连续变化的层的组合，

构成所述表面侧的组成渐变层的硅基材料以1∶2到1∶9的原子比例包含过渡金属和硅，在所述表面侧的组成渐变层中的氮和氧的总含量在与衬底邻近的表面处为10-45原子％，而在远离衬底的表面处为45-55原子％。

2.如权利要求1所述的二元光掩模坯料，进一步包括所述衬底侧的组成渐变层和所述表面侧的组成渐变层之间的中间层，所述中间层由包含过渡金属以及氮和/或氧的硅基材料构成，其中过渡金属和硅的原子比例为1∶2到1∶9，并且氮和氧的总含量为10-23原子％。

3.如权利要求1所述的二元光掩模坯料，其中所述衬底侧的组成渐变层在厚度方向的部分或全部上，包含其中氮和氧的总含量在厚度方向上连续变化的层。

4.如权利要求1所述的二元光掩模坯料，进一步包含设置在遮光膜上的铬基材料的硬掩模膜。

5.如权利要求1所述的二元光掩模坯料，其中遮光膜的所有层包含至少3原子％的氮。

6.一种制造二元光掩模的方法，包括以下步骤：在权利要求1中的二元光掩模坯料上形成具有至多150nm厚度的抗蚀膜，将抗蚀膜加工为抗蚀图案，以及使用该抗蚀图案形成掩模图案。