[发明专利]显示面板的画素结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201110308824.1 | 申请日: | 2011-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN102361033A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
| 发明(设计)人: | 刘梦骐 | 申请(专利权)人: | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
| 地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板的画素结构及其制作方法,尤指一种具有高开口率的显示面板的画素结构及其制作方法。
背景技术
显示面板目前已广泛使用在各式电子产品以符合电子产品轻薄短小的需求,此外,为提供消费者在浏览网页或观赏影片时较佳的观赏质量,持续提高分辨率(resolution)是为显示面板的重要发展方向之一。
为了提高分辨率,往往需藉由增加显示面板中画素结构的数目,但随之增设的金属线将会降低画素结构的开口率(aperture ratio),且不利于背光利用率,而造成显示面板的亮度下降,也就是说,为使开口率下降的显示面板达到相同亮度,需增加背光模块的功率消耗(power consumption)以提高背光亮度。
因此,如何提高画素结构的开口率以同时符合显示面板的分辨率及亮度需求实为相关技术者所欲改进的课题。
发明内容
鉴于现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种显示面板的画素结构及其制作方法,以提高显示面板的画素结构的开口率。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:一种显示面板的画素结构,其包括一基板、一薄膜晶体管、一第一透明连接垫、一保护层以及一透明画素电极。薄膜晶体管设置于基板上,且薄膜晶体管包括一闸极、一闸极绝缘层、一半导体通道层、一源极与一汲极。其中闸极绝缘层位于闸极与基板的上方,半导体通道层位于闸极绝缘层的上方,以及源极与汲极位于半导体通道层的上方。第一透明连接垫设置于汲极的上方,其中第一透明连接垫与汲极部分重迭并与汲极电性连接。保护层位于第一透明连接垫的上方,其中保护层具有至少一接触洞,且接触洞至少部分曝露出第一透明连接垫。透明画素电极位于保护层的上方,其中透明画素电极经由保护层的接触洞与第一透明连接垫电性连接。
为了实现上述目的,本发明另提供一种制作显示面板的画素结构的方法,其步骤如下:提供一基板,且于基板上形成一薄膜晶体管。薄膜晶体管包括一闸极、一闸极绝缘层、一半导体通道层、一源极与一汲极。其中闸极绝缘层位于闸极与基板的上方,半导体通道层位于闸极绝缘层的上方,以及源极与汲极位于半导体通道层的上方。于汲极上形成一第一透明连接垫,且第一透明连接垫与汲极部分重迭并与汲极电性连接。于第一透明连接垫上形成一保护层,保护层具有至少一接触洞,且接触洞至少部分曝露出第一透明连接垫。于保护层上形成一透明画素电极,且透明画素电极经由保护层的接触洞与第一透明连接垫电性连接。
本发明以透明连接垫电性连接透明画素电极与汲极,其中透明连接垫设置于汲极上方,与汲极部分重迭且与汲极电性连接。透明连接垫可作为汲极的延伸部,亦即汲极与其它组件电性连接的区域。以透明材料组成的透明连接垫取代习知技术中部分的不透明的金属汲极,可增加画素结构中的透明区域而提高开口率。
附图说明
图1绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。
图2绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1A-A’线段的剖面示意图。
图3绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1B-B’线段的剖面示意图。
图4绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。
图5绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构沿图4B-B’线段的剖面示意图。
图6绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。
图7绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6A-A’线段的剖面示意图。
图8绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6B-B’线段的剖面示意图。
图9至图12绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。
图13绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。
图14绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。
【主要组件符号说明】
10 画素结构 11 画素结构
12 基板 13 画素结构
14 闸极线 16 数据线
18 薄膜晶体管 20 第一透明连接垫
22 保护层 22A 接触洞
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





