[发明专利]第III族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 201110308166.6 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102315103A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 笠井仁;冈久拓司;藤田俊介;松本直树;井尻英幸;佐藤史隆;元木健作;中畑成二;上松康二;弘田龙 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 物质 制造 方法 装置 | ||
1.一种第III族氮化物晶体物质的制造方法，该方法包括：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁所述反应室(110)的内部的步骤，和将第III族氮化物晶体物质(11)在掺杂氧原子或硅原子的情况下在所述清洁的反应室(110)中气相沉积的步骤，
其中所述的清洁所述反应室(110)的内部的步骤是在HCl气体分压至少为1.013hPa并且不超过1013hPa且所述反应室(110)中的温度至少为650℃且不超过1200℃的条件下进行的。
2.根据权利要求1所述的第III族氮化物晶体物质的制造方法，其中所述氧原子或所述硅原子是通过石英反应管的热解产生的。
3.根据权利要求1所述的第III族氮化物晶体物质的制造方法，其中所述氧原子或所述硅原子是作为掺杂气体引入的。
4.根据权利要求3所述的第III族氮化物晶体物质的制造方法，其中所述掺杂气体包含H2O气体、O2气体、SiH4气体、SiH2Cl2气体和SICl4气体中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的第III族氮化物晶体物质的制造方法，其中在所述的气相沉积所述第III族氮化物晶体物质(11)的步骤中，将保护室(117)安置在所述反应室(110)中晶体生长区域的周围。
6.根据权利要求1所述的第III族氮化物晶体物质的制造方法，其中采用蓝宝石衬底、GaAs衬底、SiC衬底、LiAlGaO衬底和GaN衬底中的至少一个作为要生长所述第III族氮化物晶体物质(11)的底层衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110308166.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大棚打桩机
- 下一篇：一种新型可充电式电动园林剪
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
