[发明专利]光电元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110307537.9 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035756A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周邦彦;任忠琦;袁文浩;杜彦良;黄久恭;邱俊宪;林作英;李卓澔 | 申请（专利权）人： | 威奈联合科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电元件，其特征在于其包含：
一背电极；
一透明前电极；
一p-型半导体层，设于该背电极与该透明前电极之间，且由一第一半导体化合物所构成，该第一半导体化合物包括M1、M2及A1，该M1是选自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一组合，该M2是选自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一组合，及该A1是选自于S、Se、Te或此等的一组合，该p-型半导体层具有一在其厚度方向上均匀的M1/M2原子比；及
一n-型层结构，设于该p-型半导体层与该透明前电极之间，与该p-型半导体层共同形成一p-n接面，且具有一n-型半导体层；
该n-型半导体层是由一第二半导体化合物所构成，该第二半导体化合物包括M3、M4及A2，该M3是选自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一组合，该M4是选自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一组合，及该A2是选自于S、Se、Te或此等的一组合，该n-型半导体层具有一在其厚度方向上均匀的M3/M4原子比，该M3/M4原子比小于M1/M2原子比且大于0.1而小于0.9。
2.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该M1/M2原子比大于0.9。
3.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该M1/M2原子比介于0.91与1.3之间。
4.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该M3/M4原子比介于0.4与0.7之间。
5.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该p-型半导体层具有一介于0.2至2μm的厚度。
6.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该n-型半导体层具有一介于0.02至0.7μm的厚度。
7.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于：该n-型层结构还包括一缓冲层，该n-型半导体层形成在该p-型半导体层上，该缓冲层形成在该n-型半导体层上。
8.如权利要求7所述的光电元件，其特征在于：该缓冲层的材料是选自CdS、ZnS、In2Se3、CdZnS或此等的一组合。
9.如权利要求7所述的光电元件，其特征在于：该n-型层结构还包括一形成在该缓冲层上的窗口层。
10.如权利要求9所述的光电元件，其特征在于：该窗口层的材料是选自ZnO、ZnS、AZO或此等的一组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
