[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201110307025.2 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102505139A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 史亮亮 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：
沉积非晶硅；
利用激光扫描该非晶硅，使非晶硅初步晶化；
对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中在激光扫描非晶硅前，在非晶硅上放置掩模。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述掩模具有条形的透光区域或具有透光孔阵列。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中所述透光孔为圆形或方形。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的制造方法，其中所述激光的能量密度为200～350mJ。
6.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的制造方法，其中激光与衬底平面垂直。
7.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的制造方法，其中激光的扫描速度为1～5mm/s，激光的脉冲频率为200～900Hz。
8.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的制造方法，其中退火在惰性气体中进行。
9.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
利用权利要求1所述的方法制成多晶硅薄膜；
利用所述多晶硅薄膜作为有源层制造薄膜晶体管。
10.由权利要求9所述的方法制成的薄膜晶体管。
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