[发明专利]一种多孔硅生物芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔硅生物芯片的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：将单面抛光硅片的抛光面与电解液接触并通过电解液接阴极电压，背面与导体接触并通过导体接阳极电压，然后进行电化学阳极氧化得到多孔硅，其中，所述氧化模式为恒电流电解、电流密度3mA/cm²、电解时间为500～700秒；

步骤2：对步骤1制得的多孔硅进行功能化修饰，然后利用生物芯片点样系统均匀滴加生物大分子标准液即得。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述硅片为电阻率为1-10Ω/cm，晶向为<100>单面抛光的p型掺硼单晶硅。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述电解液为体积分数为25％的氢氟酸乙醇溶液。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤1之前还包括对所述单面抛光硅片进行表面清洗的步骤，具体包括：

步骤a：将单面抛光硅片依次放入丙酮、环己烷、丙酮、无水乙醇中进行超声清洗，每次清洗时间为3分钟，自然晾干；

步骤b：将晾干的硅片放入体积比为3∶1浓硫酸与双氧水的溶液中，至硅片表面不再有气泡产生取出，先用大量冷去离子水冲洗，再用热去离子水冲洗干净；

步骤c：洗净的硅片浸入体积分数为5％的氢氟酸水溶液，浸泡1分钟，然后用去离子水冲洗干净，放入无水乙醇中备用。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤1所述电解时间为600秒。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤2所述功能化修饰为环氧化修饰。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，所述环氧化修饰为利用硅烷偶联剂在氮气流保护下，120℃，搅拌回流24小时，即得。

8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为质量分数为1％的γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷的无水N，N-二甲基甲酰胺溶液。

9.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，步骤2所述生物大分子为糖类。

10.权利要求1～9任意一项所述制备方法制备的多孔硅生物芯片。