[发明专利]有机发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201110306363.4 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050642A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王何立颖 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：提供一透明绝缘基板；在该基板上形成一透明阳极；在该阳极上形成一有机膜；用一周面设有若干突刺的滚轮对该有机膜进行配向，使有机膜的有机分子朝向相同方向排列；在该有机膜上形成阴极。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：使用该滚轮对有机膜进行配向时，将该滚轮置于有机膜上方，使所述突刺与该有机膜接触，再滚动该滚轮。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：该滚轮呈圆柱状，所述突刺呈矩阵状排列于该滚轮的周面上。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述突刺的末端为圆滑的球面，根部与所述滚轮一体成型。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述突刺的末端与该滚轮轴心的距离相同。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述突刺垂直于滚轮的外切面垂直向外延伸。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述突刺的材料为Si或SiO2。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述基板由环氧树脂、玻璃环氧化物、BT树脂或陶瓷材料制成。
9.如权利要求1至8项任一项所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：所述阳极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟中的任意一种。
10.如权利要求1至8项任一项所述的有机发光二极管的制造方法，其特征在于：在有机膜上形成电极的步骤之后还包括一个形成一保护膜包覆整个有机发光二极管，以对该有机发光二极管进行封装的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
