[发明专利]光电转换元件,制造光电转换元件的方法和成像器件

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换元件，制造光电转换元件的方法和成像器件。 

背景技术

近年来，已经知道一种层压型光电转换元件，其在基板上配备有成对电极和设置在成对电极之间的光电转换层。而且，已经知道配备有此光电转换元件的成像器件。作为层压型光电转换元件，已经在JP-2007-273555中显示了该光电转换元件。 

在JP-A-2007-273555中，阐述了这样的光电转换元件，其中在基板上方以下列顺序形成多个像素电极、光电转换层和对电极。 

在层压型光电转换元件中，在一些情况下，在光电转换层中出现裂缝。于是，在包括该光电转换元件的成像器件中，当获取暗图像时，噪音例如白色缺陷等增加。 

作为出现裂缝的原因，可以认为在像素电极的端部形成的台阶部(step portion)对这样的裂缝出现具有影响。 

在制造层压型光电转换元件时，在基板上方形成多个像素电极。此时，在每一个像素电极中的端部形成陡峭的台阶部。然后，在多个像素电极上依次气相沉积各自含有光电转换层的多个有机层，然后在多个有机层上方形成由ITO等制成的对电极。在以此方式制造的光电转换元件中，在分别气相沉积于像素电极上的各个有机层上形成变得下沉以遵循这种台阶部的形状的凹部。于是，在一些情况下，在这样的光电转换元件中的多个有机层的各处可能出现裂缝。出现的裂缝集中在像素电极的台阶部上方。由于该原因，可以认为在出现裂缝的有机层的部分中产生泄漏电流，因而在这样的部分中产生噪声。 

而且，对电极具有遵循正好在此电极下方形成的有机层中的凹部的形状，从而其形状变得部分地下沉到下面的有机层中。此时，对电极的下沉 部分和像素电极之间的短路的可能性可能增大，并且作为结果，当没有任何光入射到光电转换元件中时得到的信号(以下，称为“暗信号(dark signal)”)中的噪声可能增大。 

JP-2007-273555中的光电转换元件配备有用于缓和电极表面上不均匀性的不均匀性缓和层，其安置在光电转换层和由上电极和下电极组成的成对电极中的一个电极之间。根据该光电转换元件，由于通过不均匀性缓和层减小了电极表面的微小不均匀性对光电转换层的影响，因此抑制了裂缝的出现。然而，其中没有阐述用于抑制由像素电极的台阶部所致的裂缝出现的手段。 

本发明提供一种光电转换元件，一种制备光电转换元件的方法和一种成像器件，其能够抑制由在像素电极的端部形成的台阶部所致的裂缝，并且因而能够降低噪声。 

发明内容

根据本发明的一个方面，光电转换元件包括成对电极和多个有机层。所述成对电极安置在基板上方。所述多个有机层介于所述成对电极之间，并且包括光电转换层和在所述成对电极中的一个电极上形成的给定有机层。所述一个电极是二维排列的像素电极中的一个。给定有机层具有在位于排列的像素电极之间的台阶部上方的相应位置中形成的凹部。该凹部的角度θ小于50°，其中将在凹部上的给定点处的正切平面相对于基板的表面平面的倾角定义为θ。 

根据本发明的另一方面，提供一种制造光电转换元件的方法，所述光电转换元件包括安置在基板上方的成对电极和多个有机层，所述多个有机层介于所述成对电极之间并且包括光电转换层和在所述成对电极中的一个电极上形成的给定有机层，所述一个电极是二维排列的像素电极中的一个。所述方法包括第一至第三形成步骤和退火步骤。在第一形成步骤中，在基板上形成绝缘层。在第二形成步骤中，在绝缘层上形成多个像素电极的图案。在第三形成步骤中，形成有机层以覆盖所述多个像素电极。在退火步骤中，通过施加加热对有机层进行退火，使得在所述有机层上形成另一个有机层之前，使在位于像素电极之间台阶部上方的相应位置中的有机 层上形成的凹部的形状平滑。 

根据本发明，提供了能够抑制裂缝出现并降低由所述裂缝引起的噪声的光电转换元件，以及制造所述光电转换元件的方法。 

附图说明

图1是显示成像器件的截面的示意性视图。 

图2是解释图1中的成像器件之间的间隙中的台阶部和第一有机层的结构的视图。 

图3A至3C是解释制造光电转换元件的方法中的程序的视图。 

图4是显示光电转换元件中的像素电极之间的台阶部和第一有机层的凹部的形状的示意性截面图。 

图5是显示倾角θ2和白色缺陷像素的数量比率之间的关系的图表。 

图6是显示分子量和倾角θ2之间的关系的图表。 

图7是显示分子量和白色缺陷像素的数量比率之间的关系的图表。