[发明专利]一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器

权利要求书

1.一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，其存储单元不包括晶体管，所述存储单元依靠依次沉积于衬底上的底层、功能层、缓冲层、绝缘层和导电层来实现数据的存储。通过和导电层相连通的两条金属线实现数据的读取；通过和导电层以及底层相连的两条金属线对功能层进行电场的施加，以实现数据的写入。

2.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元中的电场不采用垂直方向施加方式，而采用面内施加方式。

3.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元结构可为：底层、功能层和导电层。

4.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元结构可为：底层、基片衬底、功能层、缓冲层、绝缘层和导电层。

5.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元结构可为：底层、基片衬底和导电层。

6.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元结构可为：底层、功能衬底层、缓冲层、绝缘层和导电层。

7.根据权利要求1所述的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，存储单元结构可为：底层、功能衬底层和导电层。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，每个单元分别与4条金属线相连，两条数据读取线RL1和RL2，两条数据写入线WL1和WL2。进行数据写入时，WL0和WL1间施加合适的电压对功能层中的电耦极矩进行翻转，进而实现导电层的数据的写入。其中，所有的单元的WL0和WL1呈十字交叉网状，所有单元的RL0和RL1也呈十字交叉网状。因此，通过相应的WL0和WL1可以对相应的单元进行数据的写入；通过相应的RL0和RL1可以对相应的单元进行数据的读取。

9.一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，其存储单元包括晶体管，所述存储单元依靠依次沉积于晶体管上方并的底层、功能层、缓冲层、绝缘层和导电层来实现数据的存储。通过和导电层相连通的两条金属线实现数据的读取；通过和缓冲层连接金属线以及晶体管的栅极连线实现对功能层进行电场的施加，以实现数据的写入。

10.根据权利要求9所述的一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，每个单元分别与三条可操作金属线相连，一条数据读取线RL1，一条数据写入线WL，另一条WRL同时参予数据读取和写入。进行数据读取时，在WRL上施加合适的正电压，进而将单元中晶体管打开。同时，在RL上施加正电压对所先选择的单元中的数据进行读取。进行数据写入时，在WRL上施加合适的正电压，进而将单元中晶体管打开。同时，在WL上施加电压对所先选择的单元中的数据进行写入。WL和WRL金属线之间施加合适的电、负压对功能层中的电耦极矩进行翻转，进而实现导电层的数据的写入。

11.根据权利要求9所述的一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，每个晶体管采用直接接地的形式。

12.一种包含权利要求8、10和11所述的新型的电场调制型存储单元阵列的随机存储器，其特征在于，所述磁性随机存储器还包括基本行解码器、灵敏放大器和列解码器、寄存器、控制电路、读写驱动、寄存器和输入、输入端口等。